[发明专利]磁体表面处理方法无效
| 申请号： | 201310375713.1 | 申请日： | 2013-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN104419926A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 王进东;张纪功;饶晓雷;胡伯平 | 申请（专利权）人： | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/32;C23C22/48 |
| 代理公司： | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人： | 陈立航;郭红燕 |
| 地址： | 100190 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁体 表面 处理 方法 | ||
1.一种磁体表面处理方法，包括：
真空离子镀膜的步骤；
在含有三价铬酸盐的钝化液中对形成的镀膜进行钝化处理的步骤。
2.根据权利要求1所述的磁体表面处理方法，其特征在于，所述真空离子镀膜的步骤采用真空离子蒸发镀膜的方法，包括：
在真空环境下加热待处理磁体；
充入保护性气体；
对所述待处理磁体的表面进行清洗轰击；
将蒸发材料离化成离子，对所述待处理磁体加载负偏压，所述离子沉积在加载有所述负偏压的所述待处理磁体的所述表面形成所述镀膜。
3.根据权利要求2所述的磁体表面处理方法，其特征在于，所述保护性气体为氩气，通过离化所述氩气产生氩离子对所述待处理磁体的所述表面进行所述清洗轰击。
4.根据权利要求2所述的磁体表面处理方法，其特征在于，所述保护性气体为氩气，通过对所述待处理磁体施加负偏压来对所述待处理磁体的所述表面进行所述清洗轰击。
5.根据权利要求2所述的磁体表面处理方法，其特征在于，所述保护性气体为氩气，通过离化所述氩气产生氩离子、同时对所述待处理磁体施加负偏压，对所述待处理磁体的所述表面进行所述清洗轰击。
6.根据权利要求2所述的磁体表面处理方法，其特征在于，所述蒸发材料是金属铝或铝合金，或上述两者的氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的磁体表面处理方法，还包括预处理的步骤，所述预处理包括：
倒角处理，使待处理磁体的倒角圆弧不小于0.2mm；
喷砂或者酸洗，以除去所述待处理磁体表面的杂质。
8.根据权利要求1所述的磁体表面处理方法，其特征在于，在温度为0～150℃的条件下进行所述真空离子镀膜的步骤。
9.一种磁体，根据权利要求1～8中任意一项所述的磁体表面处理方法形成镀膜层，所述镀膜层为无晶界连续层。
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