[发明专利]芯片封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，包括在衬底上形成第一金属层并对所述第一金属层进行第一构图工艺，形成芯片金属走线图案的步骤，所述衬底包括压焊区，其特征在于，还包括以下步骤：

步骤S1、在所述芯片金属走线上形成钝化层；

步骤S2、在所述钝化层上形成一定厚度的第二金属层；

步骤S3、对所述第二金属层进行合金化处理，形成金属合金层；

步骤S4、对所述金属合金层进行第二构图工艺，形成第一压焊块的图案，其中，所述第一压焊块位于所述压焊区的上方。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一金属层进行第一构图工艺，形成芯片金属走线和第二压焊块的图案，其中，所述第二压焊块位于所述压焊区的上方；

步骤S2之前还包括：

对所述钝化层进行第三构图工艺，形成钝化层过孔的图案，所述第一压焊块和第二压焊块通过所述钝化层过孔连接。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S3具体为：

将芯片封装结构放入充满氮气和氢气的高温合金炉管中，在425℃的温度条件下工艺30min，形成硅铝合金层。