[发明专利]缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺

权利要求书

1.一种缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，包括装料抽真空并预热、熔化保温、长晶、退火、降温和开方，其中，长晶包括中央长晶阶段和边角长晶阶段，其特征在于边角长晶阶段进行到1/4～1/6时即进行下一步的退火阶段。

2.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的装料抽真空并预热是将多晶硅料装入铸锭炉中的石英坩埚内，然后抽真空至0.5～0.9Pa，开启预热，在2～3h内石英坩埚内温度达到1100～1200℃。

3.根据权利要求2所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的多晶硅料的纯度为5～6N。

4.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的熔化保温是向铸锭炉内通入氩气作为保护气，使炉内压力保持在40～60KPa，然后加热升温，使得石英坩埚内温度在4～6h内达到1550～1570℃并保温8～9h。

5.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的中央长晶阶段是先将炉内压力调整至50～70KPa，然后经0.5h内将石英坩埚内温度降到1420～1430℃，然后温度从1420～1430℃经过27～29h降低到1410～1415℃。

6.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的边角长晶阶段是在0.5h降温到1405～1410℃，完成边角长晶阶段的1/4～1/6。

7.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的退火是将多晶硅铸锭在0.5h内降温到1310～1370℃并保温2～4h。

8.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的降温是向铸锭炉内通入循环氩气冷却，控制降温速率为60～80℃/h，降至400℃后取出多晶硅铸锭。

9.根据权利要求1所述的缩短边角长晶时间的多晶硅铸锭工艺，其特征在于所述的开方是将多晶硅铸锭经过切除顶部杂质及四周边角料后，置于开方机中进行开方。