[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310373211.5 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN103839965B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 金刚铉;梁基燮;崔大正;崔乘烈;李娥玲;金汉熙 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,该有机发光二极管显示装置包括:
基板,所述基板包括显示区域,其中,多个像素区域被限定在所述显示区域中;
第一电极,所述第一电极在所述基板之上并且在所述多个像素区域的每一个像素区域中;
第一堤岸,所述第一堤岸在所述第一电极的边缘上并且具有第一宽度和第一厚度;
第二堤岸,所述第二堤岸在所述第一堤岸上并且具有比所述第一宽度更小的第二宽度,其中,所述第一堤岸具有从所述第二堤岸突出且与所述第一电极接触的一部分;
有机发光层,所述有机发光层在所述第一堤岸的所述一部分的整个表面和所述第一电极上;以及
第二电极,所述第二电极在所述有机发光层上并覆盖所述显示区域的整个表面。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第一堤岸包括具有亲水特性的材料,并且所述第二堤岸包括具有疏水特性的材料。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第一堤岸由氧化硅和氮化硅中的至少一种形成。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述第二堤岸由包含氟的聚酰亚胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯和特氟龙中的至少一种形成。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,在所述第一堤岸的所述一部分上的所述有机发光层的一部分具有与在所述像素区域的中央上的所述有机发光层持平的顶表面。
6.根据权利要求1所述的装置,其中,在由所述第一堤岸围绕的区域中的所述有机发光层具有均匀的厚度。
7.根据权利要求1所述的装置,其中,所述有机发光层具有大于所述第一厚度的第二厚度。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一厚度具有在0.2微米到1.5微米以内的范围。
9.根据权利要求1所述的装置,其中,所述第二堤岸按照如下方式完全与所述第一堤岸交叠,即,使得所述第一堤岸从所述第二堤岸突出达第三宽度。
10.根据权利要求9所述的装置,其中,所述第三宽度具有在1微米到9微米以内的范围。
11.根据权利要求1所述的装置,该装置还包括每个像素区域中的薄膜晶体管,其中,所述第一电极连接到所述薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的