[发明专利]太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的扩散制结方法，其特征在于，所述扩散制结方法包括：

步骤S1，在硅片的表面上生长SiO₂层，得到预处理硅片；

步骤S2，在所述预处理硅片的SiO₂层上进行磷扩散。

2.根据权利要求1所述的扩散制结方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11，将硅片以1～20℃/min的升温速度升温至820～930℃，并在820～930℃下保持3～10min，得到热硅片；

步骤S12，在所述热硅片的表面上生长SiO₂层；

步骤S13，将生长有所述SiO₂层的热硅片降温至780～810℃，得到所述预处理硅片。

3.根据权利要求2所述的扩散制结方法，其特征在于，所述步骤S11包括将硅片以10℃/min的升温速度升温至820℃，并在820℃下保持5min，得到所述热硅片。

4.根据权利要求2所述的扩散制结方法，其特征在于，所述步骤S12包括：

朝向所述热硅片通入氧气，其中，所述氧气的流量为300～2000sccm，所述氧气的通入时间为5～15min，得到厚度为35～65nm的所述SiO₂层。

5.根据权利要求4所述的扩散制结方法，其特征在于，所述氧气的流量为500～1500sccm，所述氧气的通入时间为5～10min，所述SiO₂层的厚度为40～60nm。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的扩散制结方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21，在所述预处理硅片的SiO₂层上沉积磷源；

步骤S22，将所述预处理硅片升温至830～930℃后，朝向所述预处理硅片表面通氮气进行推结；

步骤S23，将推结后的所述预处理硅片降温至700～780℃。

7.根据权利要求6所述的扩散制结方法，其特征在于，所述步骤S21包括：

朝向所述预处理硅片通入POCl₃、氧气和氮气，以在SiO₂层表面淀积磷源，其中，所述POCl₃的流量为800～2000sccm，优选为1300sccm；所述氧气的流量为300～2000sccm，优选为500sccm；所述氮气的流量为1～15slm，优选为7.5slm，所述POCl₃、所述氧气和所述氮气的通入时间为10～15min。

8.根据权利要求6所述的扩散制结方法，其特征在于，在所述步骤S22中，所述氮气的流量为1～20slm，优选为7.5slm，所述氮气的通入时间为10～20min。

9.一种太阳能电池的制作方法，包括对硅片进行表面制绒、扩散制结、刻蚀、沉积减反射膜、印刷电极和烧结的步骤，其特征在于，所述扩散制结采用权利要求1至8中任一项所述的扩散制结方法进行。

10.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池采用权利要求9所述的制作方法制作而成。