[发明专利]薄膜晶体管及使用该薄膜晶体管之显示阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，该制造方法包括：

于一基板上形成栅极及覆盖该栅极的栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上对应栅极处形成沟道层，且于该沟道层上形成覆盖该沟道层之蚀刻阻挡层；

对形成有该蚀刻阻挡层之基板进行高温硬烤处理；

于该蚀刻阻挡层上形成光阻层；

图案化该光阻层从而在该图案化的光阻层上定义出二贯穿该光阻层之穿导孔；

以该图案化光阻做屏蔽干蚀刻该蚀刻阻挡层，以形成沿厚度方向贯穿该蚀刻阻挡层并曝露出该沟道层之二接触孔；

移除剩余的光阻层；及

在该蚀刻阻挡层上形成源极与漏极，该源极与漏极经由该接触孔与该沟道层相接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该蚀刻阻挡层为一透明有机材料层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该透明有机材料层具有光敏特性，且该透明有机材料之光敏特性弱于该光阻层之光敏特性。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，高温硬烤的温度根据该蚀刻阻挡层材料于100℃~400℃范围内设定。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该二穿导孔之间的距离小于10微米。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该二穿导孔之间的距离在3-5微米之间。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，图案化该光阻层的步骤进一步包括：提供一光罩，该光罩包括二透光部分与不透光部分，其特征在于，二透光部分之间距用于界定该穿导孔之间的间距；以该光罩为屏蔽曝光、显影该光阻层，从而在该光阻层上定义该二穿导孔。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，以该图案化光阻层做屏蔽干蚀刻该蚀刻阻挡层之方法选自电浆蚀刻、反应离子蚀刻或等离子蚀刻法。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该蚀刻阻挡层包括层迭设置之有机阻挡层与一硬遮罩层，该有机阻挡层为经固化处理之透明有机材料层，该硬遮罩层形成在该有机阻挡层背离该沟道层的表面上，用于增强该有机阻挡层之硬度。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该有机阻挡层为具有光敏特性的有机材料，且该有机阻挡层之光敏特性弱于该光阻层的光敏特性。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该硬遮罩层之厚度小于该有机阻挡层的厚度。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，该硬庶罩层材料为氮氧化硅、氮化硅、氧化硅或氟化硅。

13.一种显示阵列基板的制造方法，该制造方法包括：

提供一基板，并于该基板上形成多个薄膜晶体管，其中该薄膜晶体管的制造方法为请求项1-12项任意一项所述的制造方法。