[发明专利]用于STT MRAM的对称差分感测方法和系统

权利要求书

1.一种用于读取存储单元的方法，所述方法包括以下步骤：

提供用于对参考电流进行采样的第一采样元件；

提供用于对来自所述存储单元的单元电流进行采样的第二采样元件；

使用所述第一采样元件测量来自所述存储单元的单元电流；以及

使用所述第二采样元件测量所述参考电流。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括提供参考源的步骤，所述参考源提供经由所述采样元件的参考电流。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一采样元件是连接二极管的MOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二采样元件是连接二极管的MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电容上的跨越所述第一采样元件的栅极的电压来对所述参考电流进行采样，并且通过电容上的跨越所述第二采样元件的栅极的电压对所述单元电流进行采样。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括提供用于所述存储单元的逆感测通路的步骤，其中，用于所述存储单元的所述逆感测通路是不同于感测通路的通路。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，提供用于所述单元电流的经由所述第二采样元件的逆感测通路的步骤与提供用于所述参考电流的经由所述第一采样元件的感测通路的步骤大约同时发生。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括将所述存储单元从所述逆感测通路切换至经由所述第一采样元件的感测通路的步骤。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括使第一和第二电容与所述第一和第二采样元件的栅极断开的步骤。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述感测系统的输出均以相反的符号承载差信号。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述存储单元是STT MRAM。

12.一种用于读取存储单元的系统，其包括：

参考源，用于提供用于所述存储单元的参考电流；

第一采样单元，其被耦合至所述参考源，用于对所述参考电流进行采样和保持；以及

第二采样元件，其被耦合至所述存储单元，用于对来自所述存储单元的单元电流进行采样和保持；

其中，相继切换所述参考电流和存储单元电流，使得所述参考电流流经所述第二采样元件，以及所述单元电流流经所述第一采样元件。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述存储单元是STT MRAM。

14.根据权利要求12所述的系统，其中，所述第一和第二采样元件是连接二极管的采样晶体管。

15.根据权利要求12所述的系统，其中，通过电容上的跨越所述第一采样元件的电压来对所述参考电流进行采样。

16.根据权利要求12所述的系统，其中，通过跨越所述第二采样元件的电压对所述单元电流进行采样。

17.根据权利要求12所述的系统，其中，基本上在所述单元电流流经所述第二采样元件的同时，所述参考电流流经所述第一采样元件。

18.根据权利要求17所述的系统，其中，所述参考电流流经所述第二采样元件，以及所述单元电流流经所述第一采样元件。

19.根据权利要求18所述的系统，其中，使所述电容与输入断开。

20.一种用于感测存储单元的系统，所述存储单元具有用于提供参考电流的关联的参考源，所述系统包括：

感测通路，其可以被耦合至所述参考源或者所述存储单元；以及

逆感测通路，其可以被耦合至所述参考源或者所述存储单元；

其中，在所述参考电流已经流经所述感测通路之后，将所述存储单元从所述逆感测通路切换至所述感测通路。

21.根据权利要求20所述的系统，其中，所述感测通路包括用于对所述参考电流进行采样和保持的连接第一二极管的采样晶体管。

22.根据权利要求20所述的系统，其中，所述逆感测通路包括用于对所述单元电流进行采样和保持的连接第二二极管的采样晶体管。