[发明专利]混合集成电路模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310371563.7 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN104112719B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 冯宇翔 申请(专利权)人: 广东美的制冷设备有限公司
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L23/13;H01L23/488;H01L25/00;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 528311 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 混合 集成电路 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种混合集成电路模块,其特征在于,包括:

其中一表面覆盖有绝缘层的基板;

于所述绝缘层的表面设置的玻纤板,其中,该玻纤板于预设位置开设有通孔;

于所述绝缘层相对所述通孔的表面位置设置有穿出该通孔并外露于所述玻纤板表面的散热器;

于所述玻纤板表面形成的电路布线层;

配设于所述散热器上的功率元件和配设于所述电路布线层相应位置的非功率元件;

用于连接所述电路布线层、所述散热器、所述功率元件和所述非功率元件的金属线。

2.如权利要求1所述的混合集成电路模块,其特征在于,还包括引脚,所述电路布线层包括靠近所述基板的表面边缘的引脚焊盘,所述引脚与所述引脚焊盘连接并自所述基板向外延伸。

3.如权利要求1或2所述的混合集成电路模块,其特征在于,还包括密封层,所述密封层包覆于所述基板中覆盖有所述绝缘层相对的表面区域以外的所有表面。

4.如权利要求1或2所述的混合集成电路模块,其特征在于,所述功率器件为IGBT管、高压MOSFET管或高压FRD管。

5.如权利要求1或2所述的混合集成电路模块,其特征在于,所述散热器设置有所述功率元件的表面与所述电路布线层的表面的垂直高度差为0.03±0.01mm,所述功率元件与所述散热器相对的表面与电路布线层的表面的垂直高度差为0.1±0.02mm。

6.如权利要求1或2所述的混合集成电路模块,其特征在于,所述电路布线层与所述散热器和所述功率元件间连接的金属线的直径取值范围为:350μm~400μm;所述电路布线层与所述非功率元件间连接的所述金属线的直径取值范围为:38μm~200μm。

7.一种混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,包括:

制作基板、散热器及预设位置开设有通孔的玻纤板,并于所述基板的其中一表面覆盖绝缘层的工序;

在所述绝缘层的表面设置所述玻纤板和散热器,使所述散热器穿出所述通孔外露于所述玻纤板表面的工序;

于所述玻纤板表面布设电路布线层的工序;

分别配设功率元件和非功率元件于所述散热器上和所述电路布线层相应位置的工序;

在所述电路布线层、所述散热器、所述功率元件和所述非功率元件间连接金属线的工序。

8.如权利要求7所述的混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,所述电路布线层包括靠近所述基板的表面边缘的所述引脚焊盘,在所述于所述玻纤板表面布设电路布线层的工序之后还包括:设置引脚,将所述引脚与所述引脚焊盘连接并自所述基板向外延伸的工序。

9.如权利要求7或8所述的混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,在所述在电路布线层、所述散热器、所述功率元件和所述非功率元件间连接金属线的工序之后还包括:将所述基板中覆盖有所述绝缘层相对的表面区域以外的所有表面密封的工序。

10.如权利要求7或8所述的混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,在所述配置非功率元件于所述电路布线层相应位置的工序之后还包括:清洗所述玻纤板的工序。

11.一种混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,包括:

制作基板的工序;

制作预设位置开设有通孔的玻纤板,并于所述玻纤板表面布设电路布线层的工序;

制作散热器,并配设功率元件于所述散热器上的工序;

配置非功率元件于所述电路布线层相应位置的工序;

在所述基板上涂抹绝缘层,并在所述绝缘层的表面设置所述玻纤板和所述散热器,使所述散热器穿出所述通孔外露于所述玻纤板表面的工序;

在所述电路布线层、所述散热器、所述功率元件和所述非功率元件间连接金属线的工序。

12.如权利要求11所述的混合集成电路模块的制造方法,其特征在于,所述电路布线层包括靠近所述基板的表面边缘的所述引脚焊盘,在所述于所述玻纤板表面布设电路布线层的工序之后还包括:设置引脚,将所述引脚与所述引脚焊盘连接并自所述基板向外延伸的工序。

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