[发明专利]使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件

权利要求书

1.一种用于形成硅化物的无帽层方法，所述方法包括以下步骤：

提供选自硅和硅锗的半导体材料；

在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属；以及

在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成所述硅化物。

2.根据权利要求1的方法，其中所述半导体材料包括原位掺硼的硅锗。

3.根据权利要求2的方法，其中所述半导体材料包括约10%到约50%的锗。

4.根据权利要求1的方法，其中所述半导体材料包括注入或原位掺杂的硅。

5.根据权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：

对所述半导体材料执行硅化物制程前清洗以去除自然氧化物。

6.根据权利要求1的方法，其中所述至少一种硅化物金属选自镍、铂、钛、钽、钴、钨以及包括上述金属中至少一项的组合。

7.根据权利要求1的方法，其中所述至少一种硅化物金属包括镍-铂。

8.根据权利要求1的方法，其中所述至少一种硅化物金属通过蒸镀或溅射沉积在所述半导体材料上。

9.根据权利要求1的方法，其中以约1微秒到约10毫秒的时长执行所述退火步骤。

10.根据权利要求1的方法，其中使用闪光退火工艺执行所述退火步骤。

11.根据权利要求1的方法，其中使用激光退火工艺执行所述退火步骤。

12.根据权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述退火步骤之前，将所述半导体材料预热到约150℃到约350℃的温度。

13.根据权利要求1的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述退火步骤之后，去除任何未反应的金属。

14.根据权利要求13的方法，其中使用湿法蚀刻工艺去除所述未反应的金属。

15.一种制造场效应晶体管（FET）器件的方法，所述方法包括：

提供绝缘体上硅（SOI）晶片，其具有位于掩埋氧化物（BOX）之上的SOI层；

在所述晶片中形成至少一个有源区；

在所述至少一个有源区的将充当所述器件的沟道的部分之上形成栅极叠层；

邻近所述栅极叠层形成所述器件的源极和漏极区，其中所述器件的所述源极和漏极区包括选自硅和硅锗的半导体材料；

在所述晶片上沉积至少一种硅化物金属；以及

在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成到所述器件的所述源极和漏极区的硅化物接触。

16.根据权利要求15的方法，其中使用浅沟槽隔离（STI）在所述晶片中形成所述至少一个有源区。

17.根据权利要求15的方法，进一步包括以下步骤：

在所述栅极叠层的相对侧上形成间隔物。

18.根据权利要求15的方法，其中所述半导体材料包括原位掺硼的硅锗。

19.根据权利要求18的方法，其中所述半导体材料包括约10%到约50%的锗。

20.根据权利要求15的方法，其中所述半导体材料包括注入或原位掺杂的硅。

21.根据权利要求15的方法，其中所述至少一种硅化物金属选自镍、铂、钛、钽、钴、钨以及包括上述金属中至少一项的组合。

22.根据权利要求15的方法，其中以约1微秒到约10毫秒的时长执行所述退火步骤。

23.根据权利要求15的方法，其中使用闪光退火工艺或激光退火工艺执行所述退火步骤。

24.根据权利要求15的方法，进一步包括以下步骤：

在执行所述退火步骤之后，去除任何未反应的金属。

25.根据权利要求24的方法，其中使用湿法蚀刻工艺去除所述未反应的金属。