[发明专利]深沟槽填充结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310371227.2 | 申请日： | 2013-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN103413777B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 填充 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种深沟槽填充结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
形成依次位于所述衬底上的埋氧层和半导体层；
在所述埋氧层和所述半导体层的侧壁上形成侧墙；
以所述侧墙为掩模，沿所述衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成由剩余衬底、所述埋氧层以及所述侧墙围成的沟槽；
在所述沟槽中形成本征半导体层；
在形成有所述本征半导体层的所述沟槽中形成隔离结构。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述半导体层为P型硅层，所述本征半导体层的材料为多晶硅，所述埋氧层的材料为氧化硅，所述侧墙的材料为氧化硅。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙沿衬底方向的厚度在300～500埃的范围内。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成沟槽的步骤包括：使剩余衬底的宽度小于所述半导体层的宽度。
5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成沟槽的步骤包括：使所述沟槽沿衬底方向的深度小于所述半导体层宽度的二分之一。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，沿衬底方向去除与所述埋氧层相接触的部分衬底材料，形成沟槽的步骤包括：通过湿法蚀刻去除部分衬底材料。
7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述衬底的材料为半导体，所述湿法蚀刻的蚀刻剂为氢氧化钾或者四甲基氢氧化铵溶液。
8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅，在所述本征半导体层和所述埋氧层侧壁上形成隔离结构的步骤包括：通过高密度等离子体沉积的方式形成所述隔离结构，以填充形成有所述本征半导体层的所述沟槽。
9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述隔离结构后，所述制作方法还包括：通过化学机械抛光去除多余的本征半导体层材料和多余的隔离结构材料。
10.一种深沟槽填充结构，其特征在于，包括：
衬底；
依次位于所述衬底上的埋氧层和半导体层；
所述衬底的侧壁开设有延伸至所述半导体层下方的沟槽，所述沟槽内设置有本征半导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
