[发明专利]电能转换系统、DC-DC变换器及其电压尖峰抑制电路

权利要求书

1.一种DC-DC变换器的电压尖峰抑制电路，与所述DC-DC变换器中的耦合电感T1、第一开关管、二极管D3、电容C2及控制器连接，所述耦合电感T1的初级线圈的异名端和次级线圈的同名端共接于所述第一开关管的输入端，所述第一开关管的输入端在所述第一开关管关断时会产生电压尖峰；所述控制器控制所述第一开关管的通断；所述二极管D3的阴极和所述电容C2的正极共接向负载的输入正端供电；所述电容C2的负极连接所述负载的输入负端；其特征在于，所述电压尖峰抑制电路包括：

将所述第一开关管的输入端所产生的电压尖峰进行钳位处理并储存电能的钳位储能模块；以及

在所述控制器检测所述钳位储能模块的输出端对地的电压并相应地输出控制信号时，根据所述控制信号将所述钳位储能模块所储存的电能转移至所述电容C2的电能转移模块；

所述钳位储能模块的输入端连接所述第一开关管的输入端、所述耦合电感T1的初级线圈的异名端和次级线圈的同名端，所述钳位储能模块的输出端连接所述控制器，所述钳位储能模块的地端与所述第一开关管的输出端共接于地，所述电能转移模块的输入端连接所述钳位储能模块的输出端，所述电能转移模块的输出端连接所述电容C2的正极，所述电能转移模块的控制端连接所述控制器，所述电能转移模块的地端与所述电容C2的负极共接于地。

2.如权利要求1所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述钳位储能模块包括第一半导体开关和电容C1，所述第一半导体开关的输入端为所述钳位储能模块的输入端，所述第一半导体开关的输出端与电容C1的第一端的共接点为所述钳位储能模块的输出端，所述电容C1的第二端为所述钳位储能模块的地端。

3.如权利要求2所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述第一半导体开关是二极管、三极管、MOS管或绝缘栅双极型晶体管。

4.如权利要求3所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，当所述第一半导体开关为二极管时，所述二极管的阳极和阴极分别为所述第一半导体开关的输入端和输出端；

当所述第一半导体开关为三极管、MOS管或绝缘栅双极型晶体管时，所述第一半导体开关还连接所述控制器，并由所述控制器进行通断控制。

5.如权利要求1所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述电能转移模块包括：

电感L1、第二开关管以及第二半导体开关管；

所述电感L1的第一端为所述电能转移模块的输入端，所述电感L1的第二端与所述第二开关管的输入端共接于所述第二半导体开关管的输入端，所述第二半导体开关管的输出端为所述电能转移模块的输出端，所述第二开关管的控制端和输出端分别为所述电能转移模块的控制端和地端。

6.如权利要求5所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述第二开关管是三极管、MOS管或绝缘栅双极型晶体管。

7.如权利要求5所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，所述第二半导体开关是二极管、三极管、MOS管或绝缘栅双极型晶体管。

8.如权利要求7所述的电压尖峰抑制电路，其特征在于，当所述第二半导体开关为二极管时，所述二极管的阳极和阴极分别为所述第二半导体开关的输入端和输出端；

当所述第二半导体开关为三极管、MOS管或绝缘栅双极型晶体管时，所述第二半导体开关还连接所述控制器，并由所述控制器进行通断控制。

9.一种DC-DC变换器，其特征在于，所述DC-DC变换器包括如权利要求1-8任一项所述的电压尖峰抑制电路。

10.一种电能转换系统，其特征在于，所述电能转换系统包括如权利要求9所述的DC-DC变换器。