[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310369960.0 申请日: 2013-08-22
公开(公告)号: CN104425768A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、透明阴极、结晶型材料层和反射电极,所述结晶型材料层的材质为主动结晶材料和诱导结晶材料按质量比为1:0.2~1的比例形成的混合材料;所述主动结晶材料为酞菁锌或酞菁铜,所述诱导结晶材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或4,7-二(4-三-苯胺基)-2,1,3-苯并噻二唑,所述反射电极的材质为金、银、铝、铜、镍、铂、铬或其任意组合形成的合金薄膜。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述结晶型材料层的厚度为120~200nm。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述反射电极的厚度为100~500nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材质为4,4',4''-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材质为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1,3,4-噁二唑、4,7-二苯基-邻菲咯啉、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材质为荧光材料,或客体材料掺杂到主体材料形成的混合材料,所述客体材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2)吡啶甲酰合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f,h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(1-苯基-异喹啉)合铱或三(2-苯基吡啶)合铱,所述主体材料为4,4'-二(9-咔唑)联苯、8-羟基喹啉铝、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺,所述客体材料和主体材料的质量比为0.02:1~0.2:1;所述荧光材料为4,4'-二(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯、4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯、5,6,11,12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖啶酮。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述透明阴极为氟化物层和设置在所述氟化物层表面上的金属层组成,所述氟化物层的材质为氟化铯或氟化锂,所述金属层的材质为银、铝、镁或钙,所述氟化物层设置在所述电子传输层表面上。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或镓锌氧化物。

9.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下操作步骤:

(1)将洁净的玻璃基板置于真空度为1×10-5Pa~1×10-3Pa的真空镀膜室中,在玻璃基板上依次制备阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和透明阴极;

(2)在透明阴极上采用热阻蒸发的方法制备结晶型材料层,所述结晶型材料层的材质为主动结晶材料和诱导结晶材料按质量比为1:0.2~1的比例形成的混合材料;所述主动结晶材料为酞菁锌或酞菁铜,所述诱导结晶材料为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺或4,7-二(4-三-苯胺基)-2,1,3-苯并噻二唑,所述热阻蒸发速率为0.1~1nm/s;

在所述结晶型材料层上采用热阻蒸发或电子束蒸发的方法制备反射电极,所述反射电极的材质为金、银、铝、铜、镍、铂、铬或其任意组合形成的合金薄膜,所述反射电极的蒸发速率为0.2~2nm/s。

10.如权利要求9所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述结晶型材料层的厚度为120~200nm。

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