[发明专利]制造裸片的金属垫片结构的方法、裸片配置和芯片配置

权利要求书

1.一种用于制造裸片的金属垫片结构的方法，所述方法包括：

在所述裸片的封装材料之间形成金属垫片，其中，所述金属垫片和所述封装材料被间隙彼此分开；以及

在所述间隙中形成额外的材料以使所述间隙的至少一部分变窄。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述裸片的导电部上沉积所述封装材料；

在所述封装材料中形成暴露所述导电部的至少一部分的开口；以及

在所述导电部的由所述封装材料中的所述开口暴露的所述部分上形成所述金属垫片。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述裸片的导电接触部上沉积所述封装材料；

在所述封装材料中形成暴露所述导电接触部的至少一部分的开口；以及

在所述导电接触部的由所述封装材料中的所述开口暴露的所述部分上形成所述金属垫片。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

在所述裸片的导电接触部上沉积所述封装材料包括在所述裸片的导电性再分布层上沉积封装材料。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在包含导电接触部的裸片上沉积所述封装材料；

选择性地去除所述封装材料的一部分以暴露所述导电接触部的至少一部分；以及

在所述导电接触部的通过选择性地去除所述封装材料的所述部分而暴露的所述部分上形成所述金属垫片。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在包含导电接触部的裸片上沉积钝化材料；

在所述钝化材料上沉积所述封装材料；

选择性地去除所述钝化材料的一部分和所述封装材料的一部分以暴露所述导电接触部的至少一部分；以及

在所述导电接触部的通过选择性地去除所述钝化材料和所述封装材料而暴露的所述部分上形成所述金属垫片。

7.根据权利要求1所述的方法，其中

在所述裸片的封装材料之间形成金属垫片包括通过来自以下沉积方法组中的至少一种沉积方法在所述裸片的封装材料之间沉积金属垫片，所述组由无电电镀、电镀、电沉积、溅射、蒸镀构成。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属垫片和所述封装材料被大约10nm至大约500nm范围内的间隙彼此分开。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述间隙中形成额外的材料以使所述间隙的至少一部分变窄包括在所述间隙中形成导电材料。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述额外的材料包括来自导电材料组中的至少一种导电材料，所述导电材料组由钯、银、铂、金构成。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述间隙中形成额外的材料以使所述间隙的至少一部分变窄包括在所述间隙中形成电绝缘材料。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述额外的材料包括来自电绝缘材料组中的至少一种电绝缘材料，所述电绝缘材料组由环氧树脂、有机聚合物、无机聚合物、聚酰亚胺和碳基材料构成。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述间隙中形成额外的材料包括通过来自以下沉积方法组中的至少一种沉积方法在所述间隙中形成额外的材料，所述组由喷射、气相沉积、旋涂、浸涂、化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、无电电镀、电镀构成。

14.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述间隙中形成额外的材料以使所述间隙的至少一部分变窄包括用所述额外的材料至少部分地填充所述间隙。

15.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述间隙中形成额外的材料以使所述间隙的至少一部分变窄包括将所述额外的材料粘附至所述封装材料的一个或多个侧壁上。

16.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属垫片包括大约200nm至大约20μm的范围内的厚度。

17.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述金属垫片包括垫片上金属化层。