[发明专利]一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：选择基体材料；

步骤2：在基体材料上采用磁控溅射法室温下制备Ag薄膜；

步骤3：对Ag薄膜进行原位退火，形成Ag芯纳米颗粒；

步骤4：在已制备Ag芯纳米颗粒的基体材料上，再次采用磁控溅射法室温下制备Al薄膜；

步骤5：对Al薄膜进行原位退火，形成Al壳层纳米颗粒的同时，形成薄膜太阳电池Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构；

步骤6：完善太阳电池器件工艺，制备出含有Ag/Al芯壳复合纳米颗粒陷光结构的薄膜太阳电池。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中所述基体材料为薄膜太阳电池表面、薄膜太阳电池的发射区或薄膜太阳电池的衬底。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中所述Ag薄膜的厚度为4～15nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中所述Ag薄膜原位退火的温度为150～550℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4中所述Al薄膜的厚度为5～12nm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5中所述Al薄膜原位退火的温度为100～300℃。