[发明专利]量子点发光元件的制造方法及量子点显示设备有效
申请号: | 201310367430.2 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103427049A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 张锋;姚琪;惠官宝 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 量子 发光 元件 制造 方法 显示 设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其是指一种量子点发光元件的制造方法及量子点显示设备。
背景技术
量子点(Quantum Dot,QD)也就是纳米晶体,是一种准零维的纳米材料,量子点三个维度的尺寸都在1~10nm之间,其内部电子在各方向上的运动都受到局限,所以量子限域效应(quantum confinement effect)特别显著。由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构。不同尺寸的量子点,电子和空穴被量子限域的程度不一样,分子特性的分立能级结构也因量子点的尺寸不同而不同。因此,在受到外来能量激发后,不同尺寸的量子点将发出不同波长的荧光,也就是各种颜色的光。另外,由于量子点受激发射的波长与只与量子点的能级结构(量子点的尺寸)有关,因此发射的波长半高宽(FWHM)很窄,发光纯度很高,采用量子点发光材料的显示设备具有很高的色域,显示品质很高。
与传统的使用有机发光材料的有机发光二极管(OLED)相比,量子点发光二极管(QLED)采用量子点发光材料替代有机发光材料形成发光层。采用QLED的显示设备能通过控制量子点的尺寸实现R、G、B三原色以及白光的实现,并且QLED显示设备具有优良的色域以及显示亮度。另外,QLED显示设备可以采用目前OLED以及其他平板显示设备的工艺生产线来制造,这些都使得QLED显示设备越来越受到人们的关注,很有可能成为下一代的显示设备。
参阅图1所示,量子点发光元件一般包括:在下基板100和上基板200之间设置彼此相对的阳极10和阴极50、以及形成在阳极10和阴极50之间的具有多个量子点31的量子发光层30。其中,在阳极10上形成有由空穴传输粒子构成的空穴传输层20,量子发光层30形成在空穴传输层20上。在量子发光层30上顺序形成有电子传输粒子构成的电子传输层40和阴极50。
现有技术的量子点发光元件的制造过程中,量子点发光层的每一层结构均采用分步或分层制备的方式实现,通常通过溶液工艺在空穴传输层上形成量子点发光层,由于在形成量子点发光层时,用于形成量子点发光层的溶剂会溶解空穴传输层组分,因此量子点发光层下面的空穴传输层的组分也被溶解,从而需要选择在溶液工艺中不能被溶解的材料,因此制备空穴传输层的材料受到限制;此外采用上述制备方法时量子点发光元件的工序较多、工艺复杂,从而造成制造成本很难降低。
发明内容
本发明技术方案的目的是提供一种量子点发光元件的制造方法及量子点显示设备,用于简化现有量子点发光元件的制造工序,使量子点发光元件的制造成本降低。
本发明提供一种量子点发光元件的制造方法,所述量子点发光元件包括量子点发光层、空穴传输层和电子传输层,其中,所述制造方法包括:
将形成所述量子点发光层的量子点发光材料与形成所述空穴传输层的空穴传输材料混合,或者将形成所述量子点发光层的量子点发光材料与形成所述电子传输层的电子传输材料混合,溶解于有机溶剂中,形成混合溶剂;
将所述混合溶剂涂覆于所述量子点发光元件的制备基板上;
除去涂覆有所述混合溶剂的制备基板上的有机溶剂,量子点发光材料与空穴传输材料或者量子点发光材料与所述电子传输材料在所述制备基板上分层,形成所述量子点发光层和所述空穴传输层或者形成所述量子点发光层和所述电子传输层。
优选地,上述所述的制造方法,在将量子点发光材料与空穴传输材料混合并溶解于有机溶剂,形成所述混合溶剂时,将所述混合溶剂涂覆于所述量子点发光元件的制备基板上步骤之前,还包括:
制成所述量子点发光元件的下基板;
在所述下基板上形成阳极,形成为所述制备基板。
优选地,上述所述的制造方法,在形成所述量子点发光层和所述空穴传输层之后还包括:
在所述量子点发光层的表面沉积电子传输材料,形成为所述电子传输层;
在所述电子传输层的表面形成阴极;
制成所述量子点发光元件的上基板,并使所述上基板与所述阴极连接。
优选地,上述所述的制造方法,在将量子点发光材料与电子传输材料混合并溶解于有机溶剂,形成所述混合溶剂时,将所述混合溶剂涂覆于所述量子点发光元件的制备基板上步骤之前,还包括:
制成所述量子点发光元件的上基板;
在所述上基板上形成阴极,形成为所述制备基板。
优选地,上述所述的制造方法,在形成所述量子点发光层与所述电子传输层之后,还包括:
在所述量子点发光层的表面沉积空穴传输材料,形成为所述空穴传输层;
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