[发明专利]一种彩色滤光层、彩膜基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种彩色滤光层，包括该彩色滤光层的彩膜基板，包括该彩膜基板的显示装置。

背景技术

在显示装置中，可通过彩膜对入射过来的光进行有效的过滤到以达进行彩色显示的目的，入射混色光透射过彩膜基板的三个滤光膜（例如R、G、B）后均会发生损失，例如，经过红色滤光膜（R）时，只有红色光能够透过，其它光则被遮挡，造成了对入射光很大程度的衰减，很多入射光被浪费了，如何有效利用入射光成为研究的热点。

量子点，又可称为纳米晶，是一种由II-VI族或III-V族元素的化合物组成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1～10nm之间，由于电子和空穴被量子限域，连续的能带结构变成具有分子特性的分立能级结构，受激后可以发射荧光。量子点的发光光谱可以通过改变量子点的尺寸大小来控制。通过改变量子点的尺寸和它的化学组成可以使其发射光谱覆盖整个可见光区。

上转换发光也称为频率上转换发光，是一种利用多步光子吸收在较高能级上产生辐射跃迁的过程，辐射的光子能量比抽运光子的能量高。所谓的上转换材料就是指受到光激发时，可以发射比激发波长短的荧光的材料。

发明内容

本发明的目的是解决现有技术中彩色滤光层的光利用率低的问题，提供一种光利用率高的彩色滤光层。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种彩色滤光层，包括滤光膜和设置于滤光膜入光侧的光转换材料层。

通过设置光转换材料层把入射光中的其他频率的光转换为与各滤光膜光谱性质相同的光，可以到达提高光的利用率与显示亮度的效果，有效的节省能源以及提高显示效果。

优选的是，所述的光转换材料层包括量子点和/或上转换材料。

优选的是，所述的量子点是由CdTe、CdSe掺杂ZnS、CdSe掺杂ZnSe材料的任意一种制备的。

优选的是，所述的滤光膜包括蓝色滤光膜，所述蓝色滤光膜的光转换材料层包括上转换材料。

进一步优选的是，所述的上转换材料是NaCO₃·TeO₂·Pr₆O₁₁、NaYF₄掺杂Ho³⁺、稀土掺杂铒、稀土掺杂Yb、稀土掺杂YF₃材料中的任意一种制备的，所述的上转换材料的粒径范围为20-40nm。

优选的是，所述的滤光膜为红色滤光膜，所述的光转换材料层包括量子点。

进一步优选的是，所述的量子点是由CdTe材料制备的，所述的CdTe量子点的粒径范围为2.5-4.0nm；

所述的量子点是由CdSe掺杂ZnS的材料制备的，所述的CdSe掺杂ZnS的量子点的粒径范围为2.5-6.3nm；

所述的量子点是由CdSe掺杂ZnSe的材料制备的，所述的CdSe掺杂ZnSe的量子点的粒径范围为2.5-6.3nm。

优选的是，所述的滤光膜为绿色滤光膜，所述的光转换材料层包括量子点和/或上转换材料。

进一步优选的是，所述的量子点是由CdTe材料制备的，所述的CdTe量子点的粒径范围为2.5-4.0nm；

所述的量子点是由CdSe掺杂ZnS的材料制备的，所述的CdSe掺杂ZnS的量子点的粒径范围为2.5-6.3nm；

所述的量子点是由CdSe掺杂ZnSe的材料制备的，所述的CdSe掺杂ZnSe的量子点的粒径范围为2.5-6.3nm；

所述的转换材料是NaYF₄掺杂Ho³⁺、稀土掺杂铒、稀土掺杂Yb、稀土掺杂YF₃材料中的任意一种制备的，所述的上转换材料的粒径范围为20-40nm。

本发明的目的还包括提供一种彩膜基板，所述的彩膜基板包括多种颜色的、设于不同位置的彩色滤光层，其中至少部分彩色滤光层为上述的彩色滤光层。

本发明的目的还包括提供一种显示装置，所述的显示装置包括上述的彩膜基板。

由于彩膜基板和显示装置包括光转换材料层，能把入射光中的其他频率的光转换为与各滤光膜光谱性质相同的光，可以到达提高光的利用率与显示亮度的效果，有效的节省能源以及提高显示效果。

附图说明

图1为本发明实施例1所述的彩色滤光层的结构示意图。

图2为本发明实施例2所述的彩膜基板的部分结构示意图。

其中：1.基底；2.滤光膜；3.光转换材料层；4.入射光。

具体实施方式