[发明专利]具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法在审
| 申请号： | 201310365652.0 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425227A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 朱岩岩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 不同 厚度 栅极 氧化 制造 方法 | ||
1.一种具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，包括：
提供具有隔离结构的半导体衬底，其上具有第一区域与第二区域；
在所述半导体衬底表面形成硅层；
对所述硅层进行氧化，形成第一栅极氧化层；
去除第二区域的第一栅极氧化层，暴露出半导体衬底表面；
在所述第二区域暴露出的半导体衬底表面形成第二栅极氧化层。
2.如权利要求1所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述硅层为多晶硅层或外延硅层。
3.如权利要求2所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述硅层被全部氧化。
4.如权利要求3所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述硅层的厚度决定第一栅极氧化层的厚度。
5.如权利要求1所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层是以热氧化法形成的。
6.如权利要求1所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，采用湿刻刻蚀去除所述第二区域的第一栅极氧化层。
7.如权利要求6所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用氢氟酸或热磷酸。
8.如权利要求1所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层以热氧化法形成。
9.如权利要求1所述的具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法，其特征在于，所述第一栅极氧化层的厚度大于第二栅极氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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