[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201310364818.7 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104051493B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 卞昌洙;李知恩 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
一种有机发光显示装置包括:显示衬底,包括由多个非像素区域至少部分限定的多个像素区域;密封衬底,面向所述显示衬底;以及隔垫物,位于所述显示衬底与所述密封衬底之间的所述显示衬底的所述非像素区域的一个上以维持所述显示衬底与所述密封衬底之间的间隔。所述多个像素区域包括:第一像素;第二像素,与所述第一像素间隔开,所述第二像素的中心对应于虚拟矩形的第一角,所述虚拟矩形的中心对应于所述第一像素的中心;以及第三像素,与所述第二像素间隔开,所述第三像素的中心对应于与所述虚拟矩形的、与所述第一角相邻的第二角。所述隔垫物与所述第二像素相邻。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年3月11日向韩国专利局提交的第10-2013-0025741号韩国专利申请的优先权,该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是包括有机发光二极管(OLED)的自发光显示装置,有机发光二极管(OLED)包括空穴注入电极、电子注入电极和在它们之间形成的有机发射层。当因从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子的组合而生成的激子从激发态降至基态时,有机发光显示装置发光。
自发射显示装置不需要额外的光源。有机发光显示装置可被低压驱动,并且可能是轻型和由薄膜技术形成。此外,有机发光显示装置具有高质量特征,诸如视角宽、对比度大和响应速度快,因此被认为是下一代显示装置。
一般地,有机发光显示装置包括用于发出不同颜色的光以显示图像的多个像素。这里,像素指显示图像的最小单元。栅线、数据线、功率线诸如驱动功率线、绝缘层诸如用于限定每个像素的面积或形状的像素限定层等可位于相邻的像素之间。
在典型的有机发光显示装置中,用于形成像素的有机发射层由是使用掩膜诸如精细金属掩膜(FMM)的沉积工艺形成的。如果像素被形成为其间具有小间隙以确保像素的良好的孔径比,沉积的可靠性可能降低。否则,如果像素被形成为具有大间隙以提高沉积的可靠性,像素的孔径比可能减小。
此外,有机发光显示装置被开发成便携式装置。如此,有机发光显示装置应该能够减少或防止因外部冲击引起的显示特征的降低。
发明内容
示例性实施方式提供了一种有机发光显示装置,其具有良好的孔径比并且具有抗外部冲击的高强度。
根据本发明的一个示例性实施方式,提供了一种有机发光显示装置,其包括:显示衬底,包括至少部分地由多个非像素区域限定的多个像素区域;密封衬底,面向所述显示衬底;以及隔垫物,位于所述显示衬底与所述密封衬底之间的所述显示衬底的所述非像素区域的一个上以维持所述显示衬底与所述密封衬底之间的间隔,其中所述多个像素区域包括:第一像素;第二像素,与所述第一像素间隔开,所述第二像素的中心对应于虚拟矩形的第一角,所述虚拟矩形的中心对应于所述第一像素的中心;以及第三像素,与所述第二像素间隔开,所述第三像素的中心对应于与所述虚拟矩形的、与所述第一角相邻的第二角,以及其中所述隔垫物与所述第二像素相邻。
所述第二像素可具有多边形形状,并且所述隔垫物可沿所述第二像素的至少一侧。
所述隔垫物可包围所述第二像素。
所述第二像素可具有大体矩形形状,并且所述隔垫物可以“V”形沿所述第二像素的两侧。
所述隔垫物可与所述第一像素和所述第三像素间隔开。
所述有机发光显示装置还可包括像素限定层,所述像素限定层位于所述显示衬底的所述非像素区域上并且具有用于暴露所述多个像素区域的多个开口。
所述隔垫物可从所述像素限定层朝向所述密封衬底突出。
所述隔垫物可以由与所述像素限定层相同的材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310364818.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的