[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法

说明书

相关专利申请

本申请享受以日本申请专利2013-56060号（申请日：2013年3月19日）作为基础申请的优先权。本申请通过参照这个基础申请而包含基础申请的全部的内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

以前的半导体装置中，由金属材料覆盖将半导体芯片密封的树脂等的密封部件，以尽可能不混入来自外部的噪声，或尽可能不向外部释放噪声(以下，记载为屏蔽效果)。为了得到充分的屏蔽效果，需要金属材料接地。因此，提出除了引线框的端子之外在半导体装置的底面的角(封装角部)设置用于使金属材料接地的端子(例如，日本专利公开公报2002-33444号)。

还有，在从如TSOP(Thin small outline package：薄小外形封装)和/或QFP(quad flat package：方形扁平封装)的密封部件的侧面露出端子的结构的半导体装置的场合，若由金属材料覆盖直到密封部件的侧面为止，则金属材料和端子导通。因此，由金属材料能够覆盖的面积变窄。其结果，产生不能获得充分的屏蔽效果的担忧。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能容易地形成在密封部件上具有屏蔽效果的导体层的半导体装置及半导体装置的制造方法。

实施方式涉及的半导体装置的制造方法包括以下步骤：在将第1端子、厚度比第1端子薄的第2端子针对安装部的周围间隔开配置的引线框的安装部上载置半导体芯片；由树脂将半导体芯片及引线框密封；使树脂形成底面位于第1端子的上表面和第2端子的上表面之间的沟；填充沟，并且，覆盖树脂的表面，以与第1端子电导通并与第2端子电绝缘的方式形成导体层；以填充在沟的导体层的截面露出的方式在厚度方向切断树脂。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的半导体装置的方块图。

图2是第1实施方式涉及的半导体装置的制造途中俯视图。

图3是第1实施方式涉及的半导体装置的制造步骤图。

图4是第1实施方式涉及的半导体装置的制造步骤图。

图5是第1实施方式涉及的半导体装置的制造步骤图。

图6是第2实施方式涉及的半导体装置的方块图。

图7是第2实施方式涉及的半导体装置的制造步骤图。

图8是第2实施方式涉及的半导体装置的制造步骤图。

符号的说明

100、200…半导体装置，101、201…引线框，101a、201a…安装部，101b、201b…第1端子，101c、201c…第2端子，102…半导体芯片，103…接合线，104、204…密封部件，104a、204a…端面，104b、204b…台阶，104c、204c…底面，105、205…导体层。

具体实施方式

以下，参照附图，关于实施方式来详细地说明。

(第1实施方式)

图1是第1实施方式涉及的半导体装置100的方块图。图1(a)是半导体装置100的俯视图，图1(b)是在图1(a)的线段X-X的半导体装置100的截面图。如图1所示，半导体装置100是引线端子不从密封部件突出的QFP(quad flat non-lead package：方形扁平无引线封装)型的半导体装置。以下，参照图1，关于半导体装置100的构成来说明。

半导体装置100具备：引线框101、半导体芯片102、接合线103、密封部件104、导体层105。引线框101具备：用于安装半导体芯片102的安装部101a、接地(GND)用端子(第1端子)101b、其他的端子，例如，信号用端子等的第2端子101c。

第1、第2端子101b、101c针对安装部101a的周围间隔开配置。第2端子101c的尖端部，通过蚀刻法和/或压印法等进行薄化。因此，第1端子101b的厚度D1，比作为其他的端子的第2端子101c的尖端部的厚度D2更厚。反过来说，第2端子101c的尖端部的厚度D2，比第1端子101b的厚度D1更薄。第1端子101b的厚度D1，例如，为200μm±10μm。第2端子101c的尖端部的厚度D2，例如，为100μm±25μm。再者，第1、第2端子101b、101c的背面R1、R2，从密封部件104露出。

半导体芯片102使用小片结合材料粘合在安装部101a上。半导体芯片102的外部连接用的焊盘(未图示)和引线框101的第1、第2端子，通过接合线103电接合。