[发明专利]发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装件以及光单元。 

背景技术

发光二极管(LED)已被广泛用作发光器件之一。LED通过使用化合物半导体特性将电信号转换成光形式例如红外光、紫外光以及可见光。 

随着发光器件的光效率提高，LED已经用于各个领域，例如显示装置和照明电器。 

发明内容

实施方案提供了能够防止电流集中、提高光效率以及电可靠性的发光器件、发光器件封装件以及光单元。 

根据实施方案，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下方的有源层以及在有源层下方的第二导电半导体层；第一电极，该第一电极电连接至第一导电半导体层；第二电极，该第二电极电连接至第二导电半导体层；在发光结构下部的外周部处的沟道层；在第二电极下方的导电支承构件；第一连接部，该第一连接部电连接至第一电极和导电支承构件；以及第二连接部，该第二连接部电连接至第二电极。 

如上所述，实施方案提供了能够防止电流集中、提高光效率以及电可靠性的发光器件、发光器件封装件和光单元。 

附图说明

图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。 

图2至图6是示出制造发光器件的方法的截面图。 

图7至图11是示出根据实施方案的发光器件的修改方案的截面图。 

图12是示出根据实施方案的发光器件的另一实例的截面图。 

图13是示出实施方案的发光器件的第二连接部的一个实例的视图。 

图14至图18是示出制造根据实施方案的发光器件的方法的截面图。 

图19至图21是示出根据实施方案的发光器件的修改方案的截面图。 

图22是示出根据实施方案的发光器件封装件的视图。 

图23是示出根据实施方案的显示装置的视图。 

图24是示出根据实施方案的显示装置的另一实例的视图。 

图25是示出根据实施方案的光单元的视图。 

具体实施方式

在实施方案的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称作在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊垫或者另一图案“上”或“下方”时，其可以“直接地”或“间接地”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊垫或图案之上，或者还可以存在一个或者更多个中间层。已经参照附图描述了这样的层位置。 

为了方便和清楚，附图中所示出的每个层的厚度和尺寸可被放大、省略或示意性地绘制。另外，元件的尺寸并不完全地反映实际尺寸。 

在下文中，将参照附图详细描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元以及用于制造它们的方法。 

图1是示出根据实施方案的发光器件的视图。 

如图1所示，根据实施方案的发光器件可以包括发光结构10、导电支承构件70、第一电极80以及第二电极87。 

发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12以及第二导电半导体层13。有源层12可以插入在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11下方，并且第二导电半导体层13设置在有源层12下方。 

第一导电半导体层11可以包括N型半导体层，该N型半导体层掺杂有用作第一导电掺杂剂的N型掺杂剂，第二导电半导体层13可以包括P型半导体层，该P型半导体层掺杂有用作第二导电掺杂剂的P型掺杂剂。另外，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。 

例如，第一导电半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用化合物半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体来实现。 

例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有组成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料来实现。例如，第一导电半导体层11可以包括选自掺杂有N型掺杂剂例如Si、Ge、Sn、Se和Te的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。