[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310364408.2 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN103904100A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 白钦日;李祉炘 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板;
多个像素区域,所述多个像素区域由在所述基板上形成的多条栅极线与多条数据线界定,每个像素区域包括红色子像素、绿色子像素、第一蓝色子像素和第二蓝色子像素;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于每个像素区域中;
第一电极,所述第一电极与每个所述薄膜晶体管的漏极电连接;
绝缘层,所述绝缘层暴露所述第一电极;
空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层按顺序地堆叠在所述第一电极上;
红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层位于所述空穴传输层上,所述红色发光层位于所述红色子像素中,所述绿色发光层位于所述绿色子像素中,而所述蓝色发光层位于所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素中;
电子传输层和电子注入层,所述电子传输层和所述电子注入层按顺序地堆叠在所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层上;以及
第二电极,所述第二电极位于所述绝缘层和所述电子注入层上,
其中位于所述第二蓝色子像素中的所述第一电极具有所述第一电极层和至少一个金属层的多层结构。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述第一蓝色子像素显示浅蓝色,而所述第二蓝色子像素显示深蓝色。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述多层结构是所述第一电极层和位于所述第一电极层之下的第一金属层的双层结构,并且所述第一金属层包括银或银合金,并且其中所述第一电极层包括ITO或IZO或其它透明导电材料。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述多层结构是所述第一电极层、位于所述第一电极层上的第一金属层以及位于所述第一金属层上的第二金属层的三层结构,并且所述第一电极层和所述第二金属层每层都包括ITO或IZO或其它透明导电材料,并且其中所述第一金属层包括银或银合金。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述第一电极层具有大于0埃且小于大约300埃的厚度,并且所述第一金属层具有大约100埃至200埃的厚度。
6.根据权利要求4所述的装置,其中所述第一电极层具有大于0埃且小于大约300埃的厚度,并且所述第一金属层具有大约100埃至200埃的厚度,并且其中所述第二金属层具有大于0埃且小于大约100埃的厚度。
7.根据权利要求1所述的装置,其中在所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素中的所述蓝色发光层包括相同的蓝色磷光有机材料。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述第二电极包括铝。
9.一种用于有机发光二极管显示装置的基板,包括:
基板;
多个像素区域,所述多个像素区域由在所述基板上形成的多条栅极线与多条数据线界定,每个像素区域包括红色子像素、绿色子像素、第一蓝色子像素和第二蓝色子像素;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管位于每个像素区域中;
第一电极,所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接;
绝缘层,所述绝缘层暴露所述第一电极;
空穴注入层和空穴传输层,所述空穴注入层和所述空穴传输层按顺序地堆叠在所述第一电极上;
红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层,所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层位于所述空穴传输层上,所述红色发光层位于所述红色子像素中,所述绿色发光层位于所述绿色子像素中,而所述蓝色发光层位于所述第一蓝色子像素和所述第二蓝色子像素中;
电子传输层和电子注入层,所述电子传输层和所述电子注入层按顺序地堆叠在所述红色发光层、所述绿色发光层和所述蓝色发光层上;以及
第二电极,所述第二电极位于所述绝缘层和所述电子注入层上,
其中位于所述第二蓝色子像素中的所述第一电极具有所述第一电极层和至少一个金属层的多层结构。
10.根据权利要求9所述的基板,其中所述多层结构是所述第一电极层和位于所述第一电极层之下的第一金属层的双层结构,或者是所述第一电极层、位于所述第一电极层上的第一金属层以及位于所述第一金属层上的第二金属层的三层结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的