[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括上有源层、下有源层、上源极、下源极、上漏极和下漏极，所述上有源层和所述下有源层分别位于所述栅极的上下两侧，所述下源极与所述下漏极与所述下有源层相连，所述上源极和所述上漏极与所述上有源层相连。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述上源极和所述下源极通过第一过孔相连，所述上漏极和所述下漏极通过第二过孔相连。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述上有源层和所述栅极之间设置有上栅极绝缘层，所述下有源层和所述栅极之间设置有下栅极绝缘层。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管还包括覆盖所述上有源层的保护层，所述上源极和所述上漏极设置在所述保护层上，并且所述上源极通过第三过孔与所述上有源层相连，所述上漏极通过第四过孔与所述上有源层相连。

5.一种阵列基板，该阵列基板包括由多条数据线和多条栅线划分成的多个像素单元，每个像素单元内都设置有薄膜晶体管和与该薄膜晶体管相连的像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1至4中任意一项所述的薄膜晶体管，所述像素电极同时与所述上漏极和所述下漏极电连接，所述数据线同时与所述上源极和所述下源极电连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述上漏极和所述上源极与所述像素电极由相同的材料制成。

7.一种显示装置，该显示装置包括阵列基板，其特征在于，该阵列基板为权利要求5或6所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：

形成包括下源极和下漏极的图形的步骤；

形成包括下有源层的图形的步骤；

形成包括栅极的图形的步骤；

形成包括上有源层的图形的步骤；

形成包括上源极和上漏极的图形的步骤；和

形成包括像素电极的图形的步骤，该像素电极同时与所述下漏极和所述上漏极电连接。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括在所述形成包括上源极和上漏极的图形的步骤之前进行的形成第一过孔和第二过孔的步骤，以使得所述上源极和所述下源极通过所述第一过孔相连，所述上漏极和所述下漏极通过所述第二过孔相连。

10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括在所述形成包括上有源层的图形的步骤与所述形成包括上源极和上漏极的图形的步骤之间进行形成保护层的步骤，该保护层覆盖所述上有源层。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，该制造方法包括在所述形成保护层的步骤之后，进行在所述保护层上形成第三过孔和第四过孔的步骤，所述形成包括上源极和上漏极的图形的步骤和所述形成包括像素电极的图形的步骤同时进行，以使得所述上源极、所述上漏极与所述像素电极由同种材料制成，并使得所述上源极通过所述第三过孔与所述上有源层连接，所述上漏极通过所述第四过孔与所述上有源层连接。

12.根据权利要求11所述的制造方法，其特征在于，该制造方法包括在所述形成保护层的步骤之后，进行在所述保护层上形成第三过孔和第四过孔的步骤同时，进行形成第一过孔和第二过孔的步骤，以使得所述上源极和所述下源极通过所述第一过孔相连，所述上漏极和所述下漏极通过所述第二过孔相连。

13.根据权利要求7至12中任意一项所述的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括在形成下有源层的图形的步骤和所述形成包括栅极的图形的步骤之件进行的形成所述下栅极绝缘层的步骤，和在所述形成包括栅极的图形的步骤和所述形成包括上有源层的图形的步骤之间进行的形成所述上栅极绝缘层的步骤。