[发明专利]一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺。

背景技术

SE工艺（反刻蚀选择性发射极工艺）近几年已经成为高效太阳电池的发展路线之一，在使用Despatch烧结炉匹配SE工艺过程中，烧结工艺一般不需要做太大变化；但是，在使用TPS烧结炉过程中，如果不改进烧结工艺，就会产生大量的烧结不良，并且太阳电池的效率也会因为低挡片的影响和降低。现在SE工艺在匹配二次印刷工艺过程中，一般会存在成本过高的问题。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，本发明的工艺是基于TPS烧结炉，针对SE的丝网印刷烧结工艺，它能够降低生产成本，提高光电转换效率。

本发明采取的技术方案为：

一种基于TPS烧结炉所改进的SE丝网印刷烧结工艺，包括如下步骤：

首先将通过前端工艺做好的SE硅片，进行印刷背电极和背电场，然后分别印刷正电极主栅和细栅，最后经过TPS烧结炉烧结成为成品电池片。

所述SE硅片的前端工艺为喷蜡反刻蚀工艺，喷蜡线宽控制在200μ～300μ。

所述的SE硅片喷蜡位置的方阻为90～120Ω/□，栅线位置的方阻为50～55Ω/□。

所述的正电极的主栅线和细栅线分开印刷（传统的丝网印刷工艺，正电极和细栅线印刷一起完成），细栅线的宽度为50μ，印刷重量为0.07g，主栅线的印刷重量为0.02g，比传统丝网印刷工艺（Ag耗量为0.14g）节省Ag浆耗量35.7％。

所述主栅线盖过细栅线2～3μ。

所述的烧结炉为TPS烧结炉，烧结炉的峰值温度为880℃，烧结8区为780℃，烧结7区的温度为805℃，烧结7、8、9区主要完成银浆的烧结，该三个温区的温度过高或则过低都会导致太阳电池的串联电阻RS偏高，从而导致电流和光电转换效率过低。

本发明的有益效果是，解决了传统烧结工艺，在烧结过程中产生的烧结不良的问题，提高了成品率和太阳电池的光电转换效率。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步说明。

本工艺的具体步骤为：SE电池片→丝网印刷背电极→丝网印刷背电场→丝网印刷主栅线→丝网印刷细栅线→TPS烧结炉→测试分选。

实施例1：

SE硅片喷蜡位置的方阻为90Ω/□，栅线位置的方阻为50Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μ，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μ的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线2μ的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。

实施例2：

SE硅片喷蜡位置的方阻为120Ω/□，栅线位置的方阻为55Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μ，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μ的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线3μ的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。

实施例3：

SE硅片喷蜡位置的方阻为105Ω/□，栅线位置的方阻为55Ω/□。栅线位置上，细栅线的印刷宽度为50μ，细栅线与主栅线分开印刷，为节省成本，主栅线采用膜厚为5μ的网版。另外，为保证主栅线和细栅线良好的接触，主栅线要求盖过细栅线3μ的长度。丝网印刷之后，进行烧结工艺，烘干区的温度不需要调整，烧结峰值温度需要降低10度；8区的烧结温度保持不变，也可以根据烧结的具体情况略微调整；烧结7区的温度提升10度。然后经过测试分选，分析电性能参数。

经过综合统计上述三个实施例，本发明的成品率提高了1.2％，太阳电池的光电转换效率提高了0.2％。

上述虽然对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。