[发明专利]一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法

权利要求书

1.一种在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，包括：

步骤10：采用光刻技术在硅衬底表面获得具有特定图样的掩模；

步骤20：利用该掩模，采用硅刻蚀技术在硅衬底表面刻蚀出具有特定形貌的表面，并去除掩模；

步骤30：采用光刻胶涂覆工艺在硅衬底表面涂覆一层光刻胶。

2.根据权利要求1所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，步骤10中所述光刻技术包括紫外光刻技术或电子束直写技术。

3.根据权利要求1或2所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，所述光刻技术涵盖了对光刻胶曝光，显影，后续可能的刻蚀或镀膜工艺，以及胶去除工艺。

4.根据权利要求3所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，所述后续可能的刻蚀或镀膜工艺，当使用光刻胶本身作为掩模时，不进行刻蚀或镀膜工艺；当不使用光刻胶本身作为掩模时，需根据以下情况1和情况2分别选择刻蚀和镀膜工艺：

情况1：在步骤10中所述的光刻工艺中涂覆光刻胶之前已经在硅衬底表面沉积了金属薄膜，作为后续工艺中的掩模物质使用；

情况2：在步骤10中所述的光刻工艺中，直接在硅衬底表面涂覆光刻胶，显影后，利用在硅衬底表面没有光刻胶的部分沉积的金属作为掩模。

5.根据权利要求1所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，步骤10中所述的掩模是能够抵抗步骤20中所述的硅刻蚀技术中使用的刻蚀源的物质。

6.根据权利要求1所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，步骤20中所述的硅刻蚀技术包括电感耦合等离子体刻蚀技术、反应离子刻蚀技术、离子束刻蚀技术、酸腐蚀技术或碱腐蚀技术。

7.根据权利要求1所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，步骤20中所述的特定形貌是具有与掩模有匹配关系的表面起伏形态。

8.根据权利要求7所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，所述的与掩模有匹配关系的表面起伏形态是具有大高宽比的凸起和具有大深宽比的凹陷形态。

9.根据权利要求1所述的在硅衬底表面涂覆光刻胶的方法，其特征在于，步骤30中所述的光刻胶涂覆工艺包括旋涂工艺、滩涂工艺、刮胶涂覆工艺或固体胶膜粘附工艺。