[发明专利]鳍式场效应晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

S1：提供一衬底，在所述衬底中凹设形成分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平；

S2：在所述衬底上形成一覆盖所述第一栅极与第二栅极的条状结构；所述条形结构自下而上依次包括第二栅介质层及第二栅极材料层；

S3：在所述条状结构纵向相对的两个侧面上分别形成一侧墙；然后在一对侧墙两侧的衬底中分别形成源极区域和漏极区域；

S4：刻蚀所述条形结构两端直至露出部分第二栅介质层上表面；刻蚀之后剩余的第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；

S5：在步骤S4获得的结构上形成绝缘层并进行抛光直至所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；分别在所述第一栅极、第二栅极、源极区域及漏极区域上方形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：所述第一栅极及第二栅极在水平面上的投影为方形，高度范围是20nm～60nm，宽度范围是10nm～30nm。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：所述源极区域和漏极区域通过掺杂形成，掺杂的深度小于或等于所述第一栅极及第二栅极的高度。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：于所述步骤S1中形成第一栅极及第二栅极之前还包括对所述衬底进行等离子体处理的步骤；所述等离子体包括N、F或Ar中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的制作方法，其特征在于：所述衬底为Si衬底或SOI衬底。

8.一种鳍式场效应晶体管结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中凹设形成有分立的第一栅极及第二栅极；所述第一栅极及第二栅极均包括第一栅极材料层及包围所述第一栅极材料层侧壁和底部的第一栅介质层；所述第一栅极及第二栅极上表面与所述衬底上表面齐平；

第二栅介质层，所述第二栅介质层为条状并覆盖所述第一栅极与第二栅极；所述第二栅介质层中间区域上形成有第二栅极材料层，所述第二栅极材料层及其下方的第二栅介质层构成第三栅极；

一对侧墙，形成于所述第二栅介质层纵向相对的两侧壁及所述第二栅极材料层纵向相对的两侧壁上，所述侧墙上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述侧墙两侧的衬底中分别形成有源极区域和漏极区域；

绝缘层，所述绝缘层形成于所述第三栅极两端的第二栅介质层表面、所述源极区域表面及所述漏极区域表面；所述绝缘层上表面与所述第三栅极上表面齐平；所述第一栅极、第二栅极、源极及漏极区域上方形成有接触孔。

9.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管结构，其特征在于：所述第三栅极的纵向宽度大于或等于所述第一栅极及第二栅极的纵向宽度。

10.根据权利要求8所述的鳍式场效应晶体管结构，其特征在于：所述第三栅极的横向宽度小于或等于所述第一栅极与第二栅极的间距。