[发明专利]一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法

权利要求书

1.一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的方法，其特征在于：在真空腔体中设置至少两个坩埚，其中至少一个坩埚放置待蒸发物，至少一个坩埚放置金属铌，电子枪轰击所述至少两个坩埚，实现蒸发物和金属铌的熔化，金属铌熔化后发射大量热电子并在阳极吸引下加速运动与蒸发物的蒸气碰撞实现离化，形成高密度的等离子体并沉积在基板上形成涂层。

2.根据权利要求1所述的一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的方法，其特征在于：反应气体引入到真空腔体内进行反应沉积，形成化合物涂层。

3.根据权利要求1所述的一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的方法，其特征在于：在所述基板上施加直流偏压或脉冲偏压。

4.根据权利要求1所述的一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的方法，其特征在于：所述阳极，当所述待蒸发物为导体材料，待蒸发物的蒸气作为阳极；当所述待蒸发物为非导体材料时，设置辅助阳极连接在直流电源正极和地之间；所述放置金属铌的坩埚连接直流电源的负极和地之间，作为阴极。

5.一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置，其特征在于：所述装置包括真空腔体中设置至少有两个蒸发坩埚，至少一个蒸发坩埚内放置待蒸发物，至少一个蒸发坩埚内放置金属铌；

至少两支电子枪，或一支可高速偏转电子枪，用于轰击所述至少两个蒸发坩埚，实现待蒸发物的蒸发和铌的熔化；

至少两支电阻，分别连接在所述至少两个蒸发坩埚与真空腔体外壳之间，所述真空腔体接地；

直流电源，提供直流电压，实现热电子回路；

当所述的待蒸发物为导体时，放置待蒸发物的坩埚连接正极，放置金属铌的坩埚连接负极；当所述的待蒸发物为非导体时，真空腔体中设置至少一个辅助阳极，所述辅助阳极连接在直流电源正极与真空腔体之间，所述真空腔体接地。

6.根据权利要求5所述的一种在真空环境下实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置，其特征在于：所述装置还包括基板脉冲偏压施加装置和反应气体流量控制器。