[发明专利]基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法有效
| 申请号： | 201310360385.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN103441066A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;崇二敏;黄海;张瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 darc 膜结构 栅极 lele 双重 图形 成型 方法 | ||
1.一种基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，包括以下步骤：
于一半导体衬底的上表面依次沉积栅氧层、多晶硅层、氮化硅层、先进图膜层和介质抗反射层；
刻蚀所述介质抗反射层，形成硬质掩膜结构后，所述先进图膜层的上表面均被剩余的介质抗反射层覆盖；
以所述硬质掩膜结构为掩膜，刻蚀所述剩余的介质抗反射层和所述先进图膜层至所述氮化硅层的表面，形成先进图膜掩膜；
以所述先进图膜掩膜为掩膜依次刻蚀所述氮化硅层、所述多晶硅层和所述栅氧层至所述半导体衬底的上表面，形成栅极结构。
2.根据权利要求1所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为
3.根据权利要求1所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为
4.根据权利要求1所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，进行上述刻蚀部分所述介质抗反射层工艺时，刻蚀停止在该介质抗反射层的内部，且刻蚀停止位置与所述先进图膜层上表面之间的距离为
5.根据权利要求1所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，介质抗反射层的厚度为
6.根据权利要求1所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述先进图膜层的厚度为
7.根据权利要求1-6中任意一项所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，上述刻蚀所述介质抗反射层形成硬质掩膜结构的工艺中包括：依次进行的第一栅极光刻工艺、第一栅极刻蚀工艺、第二栅极光刻工艺和第二栅极刻蚀工艺；
于所述介质抗反射层的表面制备第一底部抗反射层后，采用所述第一栅极光刻工艺于所述第一底部抗反射层上形成第一光阻，并以该第一光阻为掩膜，采用所述第一栅极刻蚀工艺刻蚀所述第一底部抗反射层，并停止在所述介质抗反射层的内部，去除所述第一光阻和剩余的第一底部抗反射层后，于剩余的介质抗反射层中形成第一硬质掩膜结构；
制备第二底部抗反射层覆盖所述剩余的所述介质抗反射层，采用所述第二栅极光刻工艺于所述第二底部抗反射层的表面制备第二光阻，并以该第二光阻为掩膜，采用第二栅极刻蚀工艺部分去除所述剩余的介质抗反射层，去除所述第二光阻和剩余的第二底部抗反射层后，于再次刻蚀后剩余的介质抗反射层中形成第二硬质掩膜结构。
8.根据权利要求7所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述硬质掩膜结构包括所述第一硬质掩膜结构和所述第二硬质掩膜结构。
9.根据权利要求7所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第一底部抗反射层和所述第二底部抗反射层的厚度均为
10.根据权利要求7所述的基于DARC掩膜结构的栅极LELE双重图形成型方法，其特征在于，所述第一光阻和所述第二光阻的厚度均为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
