[发明专利]一种缩小版图数据大小的方法有效
申请号: | 201310359297.6 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN104375377B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 张兴洲;倪凌云;孙长江 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 殷晓雪 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缩小 版图 数据 大小 方法 | ||
本申请公开了一种缩小版图数据大小的方法,包括如下步骤:第1步,在同一硅片版图的不同芯片版图之间寻找芯片间最大共通图形组合。第2步,在每个芯片版图内部寻找芯片内最大共通图形组合。第3步,将同一硅片版图的芯片间最大共通图形组合、每个芯片版图的芯片内最大共通图形组合分别作为一个对象,在版图数据中原来出现这些图形组合的地方替换为对相应对象的引用。本申请通过对版图数据进行无损压缩,可以显著减小其数据大小,从而加快了版图数据的传输时间,提高了版图数据的处理效率,节省了版图数据的存储空间。
技术领域
本申请涉及一种对半导体集成电路的版图数据进行处理的方法。
背景技术
光学临近修正(OPC,optical proximity correction)是通过预先改变光刻掩模版上的图形形状和尺寸,例如预先补偿线宽偏差(linewidth bias)、线末段缩短(line-endshortening)、拐角圆滑(corner rounding),并采用修正边缘布局错误或特征参数偏差等措施,使得这些改变正好能够补偿曝光系统所造成的光学临近效应(OPE,OpticalProximity Effect),从而使得光刻后硅片上图形与设计图形基本一致。
对于关键尺寸在0.13μm以下的半导体制造工艺而言,对版图进行光学临近修正是最重要的步骤之一。这可以显著提高集成电路生产时的图形准确度,然而也使得版图数据大小显著增加。统计发现,某一款集成电路产品在进行光学临近修正之后的版图数据大小通常为进行光学临近修正之前的版图数据大小的5~10倍。
版图数据的大小暴增对于光刻掩膜版的制造是极为不利的。首先,传输版图数据将花费大量时间。如果版图数据大小达到1TB即1012字节,那么传输时间将长达一天。其次,制造光刻掩膜版的部门对版图数据的处理时间也将线性增长。再次,存储版图数据也将占用大量存储空间。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是提供一种对版图数据进行无损压缩的的方法,可以显著地降低版图数据的大小。
为解决上述技术问题,本申请缩小版图数据大小的方法包括如下步骤:
第1步,在同一硅片版图的不同芯片版图之间寻找芯片间最大共通图形组合;某一个图形组合假设由m个图形组成,m为自然数;该图形组合在同一硅片版图中出现的总次数为r,r为≥2的自然数;则m*r的值最大的那一个图形组合就是芯片间最大共通图形组合;
第2步,在每个芯片版图内部寻找芯片内最大共通图形组合;某一个图形组合假设由m个图形组成,该图形组合在某一个芯片版图中出现的次数为r,r为≥2的自然数,则m*r的值最大的那一个图形组合就是芯片内最大共通图形组合;
第3步,将同一硅片版图的芯片间最大共通图形组合、每个芯片版图的芯片内最大共通图形组合分别作为一个对象,在版图数据中原来出现芯片间最大共同图形组合、各个芯片内最大共通图形组合的地方替换为对相应对象的引用。
本申请通过对版图数据进行无损压缩,可以显著减小其数据大小,从而加快了版图数据的传输时间,提高了版图数据的处理效率,节省了版图数据的存储空间。
附图说明
图1是版图中图形组合重复出现的示意图;
图2是本申请缩小版图数据的方法的流程图;
图3是本申请所述方法第1步寻找芯片间最大共通图形组合的示意图;
图4是本申请所述方法第2步寻找芯片内最大共通图形组合的示意图。
具体实施方式
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G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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