[发明专利]LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201310359148.X | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN104377291B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 李明刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/10;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括以下部分：
衬底；
形成在所述衬底之上的缓冲层；
形成在所述缓冲层之上的N型层；
形成在所述缓冲层和所述N型层之间的本征层；
形成在所述N型层之上的量子阱；
形成在所述量子阱之上的电子阻挡层；
形成在所述电子阻挡层之上的P型层；
形成在所述P型层之上的钝化层；
P电极，所述P电极从所述衬底的下表面贯穿至所述P型层的下表面；以及
N电极，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述N型层的下表面；
其中，所述N电极从所述衬底的下表面贯穿至所述本征层的下表面。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：形成在所述P型层和所述钝化层之间的电流扩散层。
3.如权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的形状为正梯形。
4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，定义所述P电极的侧面与所述衬底的下表面夹角为α,所述N电极的侧面与所述衬底的下表面夹角为β，其中，α和β的取值范围为65-80°。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的侧面以及所述衬底的下表面具有分布式布拉格反射层。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底是经过减薄处理的。
7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
8.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底之上形成缓冲层；
在所述缓冲层之上形成N型层；
在所述N型层之上形成量子阱；
在所述量子阱之上形成电子阻挡层；
在所述电子阻挡层之上形成P型层；
在所述P型层之上形成钝化层；
从所述衬底下表面开P电极沉积窗口和N电极沉积窗口，其中，所述P电极沉积窗口从所述衬底的下表面贯穿至所述P型层的下表面,所述N电极沉积窗口从所述衬底的下表面贯穿至所述N型层的下表面；以及
在所述P电极沉积窗口和N电极沉积窗口中沉积P电极和N电极；
其中，所述缓冲层和所述N型层之间形成本征层，所述N电极沉积窗口从所述衬底的下表面贯穿至所述本征层的下表面。
9.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括：在所述P型层和所述钝化层之间形成电流扩散层。
10.如权利要求8或9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述P电极沉积窗口和N电极沉积窗口的形状为正梯形。
11.如权利要求10所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，定义所述P电极沉积窗口的侧面与所述衬底的下表面夹角为α,所述N电极沉积窗口的侧面与所述衬底的下表面夹角为β，其中，α和β的取值范围为65-80°。
12.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在开P电极沉积窗口和N电极沉积窗口之后、形成所述P电极和N电极之前，在所述P电极沉积窗口和N电极沉积窗口的侧面以及所述衬底的下表面形成分布式布拉格反射层。
13.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在开P电极沉积窗口和N电极沉积窗口之前，对所述衬底进行减薄。
14.如权利要求8所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
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