[发明专利]有机发光二极管显示装置在审
申请号: | 201310359086.2 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103681755A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金英一 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 宋颖娉;康泉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
所描述的技术总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
近来,显示装置已开发为除简单的显示功能外还具有多种功能。例如,有透明显示器和触摸传感显示器。对这样的多功能显示装置,可使用纤薄柔性的有机发光二极管(OLED)显示器。
有机发光二极管(OLED)显示器的像素具有相同的形状和尺寸,并以四边形条形图案布置。在这样的像素布置中,除需要用于设置发光的像素的区域外,还可能需要用于特定功能配置,例如触摸传感器等的额外的空间或区域。在这种情况下,难以有效地将其他功能配置与像素一起布置。
在背景部分中公开的以上信息仅用于加强对所描述技术的背景的理解,因此其可能包含并不构成本国内本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例提供易于在像素之间实现功能区域同时具有优异分辨率的有机发光二极管(OLED)显示器。
根据示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示装置包括基板;形成于所述基板上并且包括多个子像素的像素单元;以及与所述像素单元直接相邻的非像素单元,其中所述像素单元具有八边形形状。
所述像素单元可以具有等边八边形形状。
所述多个子像素可以包括:配置为发射红光的第一子像素,配置为发射绿光的第二子像素,以及配置为发射蓝光的第三子像素。
所述装置可以进一步包括在所述基板上形成的附加像素单元和附加非像素单元,并且其中所述非像素单元中的第一非像素单元与所述像素单元中的一些直接相邻,并且被直接相邻的像素单元围绕。
所述像素单元中的第一像素单元可以包括第一边和与所述第一边相接的第二边,其中所述第一边与所述非像素单元中的一个相接触,并且所述第二边接触其它像素单元中的一个相接触。
所述第一边可以比所述第二边长。
所述第一非像素单元可以具有方形形状。
所述第一非像素单元的每个边与四个直接相邻的像素单元中的一个相接触。
所述像素单元的所述多个子像素被布置为共同形成条形图案,所述条形图案包括与所述方形的一个边平行的子像素带。
所述像素单元的所述多个子像素被布置为共同形成条形图案,所述条形图案包括相对于所述方形形状的四个边中的一个倾斜大约45度角的子像素带。
每个像素单元的多个子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素,所述像素单元中的一些像素单元的第一子像素可以布置为形成所述条形图案的连续带。
所述非像素单元可以包括透光部,光透过该透光部。
所述非像素单元可以包括触摸传感部。
所述非像素单元可以包括白光发射部。
根据本发明的实施例,可以提供一种实现优异分辨率同时在像素内或像素之间实现功能区域的有机发光二极管(OLED)显示器。
附图说明
图1是根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的一个子像素的等效电路。
图2是根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的像素单元的剖视图。
图3是根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的俯视图。
图4是第一示例性实施例和比较示例的视图。
图5是根据第二示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的俯视图。
图6A至图6C是根据第三示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器及其变体的俯视图。
具体实施方式
以下参考附图更充分地描述本发明的实施例,附图中示出本发明的示例性实施例。本领域技术人员将认识到,可以在不超出本发明的精神或范围的情况下以各种不同的方式对所描述的实施例进行修改。
图1是根据第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的一个子像素的等效电路。
如图1所示,根据本示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器包括多条信号线121、171和172以及连接至多条信号线121、171和172的多个子像素SPX。子像素SPX可以是第一子像素、第二子像素和第三子像素中之一,并且第一子像素、第二子像素和第三子像素可以是红色子像素(R)、绿色子像素(G)和蓝色子像素(B)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的