[发明专利]检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法

权利要求书

1.一种检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，所述晶片包括外延层、位于所述外延层上的刻蚀停止层以及位于刻蚀停止层上的衬底层，其特征在于，所述方法包括：

S1、在所述衬底层上形成贯穿该衬底层的多个孔，所述多个孔的每个孔的关键尺寸和个数及孔间距根据待制作的深沟槽结构的预设关键尺寸而设定，以使得所述多个孔的总长度大于所述深沟槽结构的预设关键尺寸，其中，所述每个孔的关键尺寸为D2，个数为N，所述孔间距为d，所述多个孔的总长度为L，所述深沟槽结构的预设关键尺寸为D，则L＝D2×N+d×(N-1)，L>D；

S2、对所述外延层中对应于所述衬底层中的所述多个孔的位置进行刻蚀，以形成深沟槽结构；

S3、以光从所述外延层向所述衬底层方向照射所述晶片，在所述衬底层表面上形成亮场区和暗场区，其中，所述亮场区与光穿过该外延层的深沟槽结构区域相对应；

S4、识别所述亮场区中所述孔的数目，根据所述孔的数目计算所述深沟槽结构的实际关键尺寸，其中，所述孔的数目为N1，所述深沟槽结构的实际关键尺寸为D1；

S5、如果所述深沟槽结构的实际关键尺寸小于所述深沟槽结构的预设关键尺寸，即D1<D，则指示刻蚀不完全，调整后续工艺时间，返回步骤S2；如果识别出的所述衬底层上的孔出现连接，则表明外延层的深沟槽结构已经过刻蚀。

2.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

将所述晶片以外延层向下、衬底层向上置于显微镜的透明载物台上；

所述显微镜的光源发射的光依次穿过所述晶片的深沟槽结构、刻蚀停止层、衬底层上的多个孔，在所述衬底层表面上形成所述亮场区。

3.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述识别所述亮场区中所述孔的数目采用人工读取方式。

4.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述识别所述亮场区中所述孔的数目采用图像识别方式。

5.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述根据所述孔的数目计算所述深沟槽结构的实际关键尺寸通过以下公式得到：

D1＝D2×N1+d×(N1-1)。

6.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述刻蚀为干法刻蚀或者湿法刻蚀。

7.根据权利要求6所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀或者反应离子刻蚀。

8.根据权利要求1所述的检测晶片深沟槽结构的实际关键尺寸及是否过刻蚀的方法，其特征在于，所述衬底层和所述外延层的材料为硅，所述刻蚀停止层的材料为二氧化硅。