[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体器件，包括：

由化合物半导体形成的电子渡越层；以及

形成为覆盖所述电子渡越层的电极，其中在所述电子渡越层和所述电极之间插入有绝缘膜，其中

所述电子渡越层的在所述电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且

在所述第一极性面中的极化电荷具有与在所述第二极性面中的极化电荷相反的极性。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体在俯视图中以条纹图案平行地交替布置。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体在俯视图中以镶嵌图案交替布置。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述电子渡越层的位于所述电极的一侧上的部分由所述第一化合物半导体形成并且具有作为所述第一极性面的表面，以及所述电子渡越层的位于所述电极的另一侧上的部分由所述第二化合物半导体形成并且具有作为所述第二极性面的表面。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体器件，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体平行地交替布置的方向与其中电流在所述电子渡越层的在所述电极下方的部分中流动的方向不平行。

6.一种用于制造化合物半导体器件的方法，包括：

形成化合物半导体电子渡越层；以及

形成覆盖所述电子渡越层的电极，其中在所述电子渡越层和所述电极之间插入有绝缘膜，其中

将所述电子渡越层的在所述电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且

在所述第一极性面中的极化电荷具有与在所述第二极性面中的极化电荷相反的极性。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体在俯视图中以条纹图案平行地交替布置。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体在俯视图中以镶嵌图案交替布置。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，其中所述电子渡越层的位于所述电极的一侧上的部分由所述第一化合物半导体形成并且具有作为所述第一极性面的表面，以及所述电子渡越层的位于所述电极的另一侧上的部分由所述第二化合物半导体形成并且具有作为所述第二极性面的表面。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的方法，其中所述第一化合物半导体和所述第二化合物半导体平行地交替布置的方向与其中电流在所述电子渡越层的在所述电极下方的部分中流动的方向不平行。

11.一种电源电路，包括：

变压器；

高压电路；以及

低压电路，其中

所述变压器设置在所述高压电路和所述低压电路之间，并且

所述高压电路包括晶体管，

所述晶体管包括：

由化合物半导体形成的电子渡越层；以及

形成为覆盖所述电子渡越层的电极，其中在所述电子渡越层和所述电极之间插入有绝缘膜，其中

所述电子渡越层的在所述电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且

在所述第一极性面中的极化电荷具有与在所述第二极性面中的极化电荷相反的极性。

12.一种高频放大器，所述高频放大器将输入的高频电压放大并且随后将所放大的高频电压输出，所述放大器包括：

晶体管，所述晶体管包括：

由化合物半导体形成的电子渡越层；以及

形成为覆盖所述电子渡越层的电极，其中在所述电子渡越层和所述电极之间插入有绝缘膜，其中

所述电子渡越层的在所述电极下方的部分形成为使得具有第一极性面的第一化合物半导体和具有第二极性面的第二化合物半导体交替布置，并且

在所述第一极性面中的极化电荷具有与在所述第二极性面中的极化电荷相反的极性。