[发明专利]用于编程包含多个区块的非易失性存储器的方法及装置

说明书

本申请是基于2013年3月12日提交的申请号为61/776,796的关国临时申请案且主张其权益，该美国临时申请的全部内容以参考方式结合于此。

技术领域

本发明是关于管理非易失性存储器中的损坏区域，及更特别地，关于用于编程具有损坏区域的非易失性存储器的方法及装置。

背景技术

在非易失性(NV)存储器(例如NAND类型的闪存或3D垂直栅(3DVG)NATqD闪存)中，存储单元通常在阶层式结构中管理。NV存储器中的基本编程单元是一页，其中一组存储单元可在一编程期间一起被编程。一或多页可由一字线(WL）控制，其施加电压至该页中存储单元的控制栅。在惯用非3DVGNV存储器中，一个WL可能仅控制一页。然而，在3DVGNV存储器中，一个WL可控制彼此垂直叠层的多页，例如4或8页。如本发明所使用的，由相同WL所控制的一组页称为一WL区域(注意针对惯用非3DVGNV存储器来说一WL区域可能相当于一页)。再者，一组WL区域(例如32或64个WL区域)可形成一区块，其构成一擦除单元。也就是说，在一区块中的所有存储单元在一擦除操作中被一起擦除。

NV存储器中的一WL、一页或一存储单元可能由于各种因素而损坏，使得由损坏的WL所控制的多页、损坏的页、或损坏的存储单元可能变成无法存取或不能储存数据，并因此变得不能用。例如，在3DVGNV存储器中，一WL可能因为WL开路或WL短路而损坏。具有损坏的WL、损坏的页、或损坏的存储单元的WL区域在本发明称之为损坏的WL区域。依惯例，在NV存储器中，逻辑到实体(L2P)映像是设计在区块阶段。也就是说，该NV存储器中的每一区块被分派一L2P映射。因此，可能很难绕过一区块中的一损坏的WL区域。必然地，具有损坏的WL区域的区块必须被标记为坏的区块，并因此不能用于储存数据。也就是说，一区块(其可能包含32或64个WL区域)中一个损坏的WL区域将导致整个区块不能用，即使该区块中其他WL区域并未损坏。这造成浪费的储存容量。另一方面，如果该L2P映像是设计在页阶段(即，每一页被分派一L2P映像)，需要用于L2P映射的RAM的量可能显着增加，这可能显着增加成本。

发明内容

根据本发明，提供了一种用于编程一非易失性存储器的方法。该存储器包含多个区块，每一区块包含多个区域，每一区域包含至少一页，且每一页包含多个存储单元。该方法包含对照一损坏区域表来确认该多个区域的一当前区域，以决定该当前区域是否损坏。损坏区域表记录关于该存储器中一区域是良好或损坏的信息。该方法更包含若该当前区域未损坏，使用该当前区域来用于编程。

此外，根据本发明，提供了用于控制非易失性存储器的编程的装置。该存储器包含多个区块，每一区块包含多个区域，每一区域包含由一相同字线所控制的至少一页，且每一页包含多个存储单元。该装置包含配置以储存一损坏区域表的一储存媒体，该损坏区域表记录关于该存储器中一区域是良好或损坏的信息。该装置更包含一控制器，配置以对照损坏区域表来确认该多个区域的一当前区域，以决定该当前区域是否损坏，以及若该当前区域未损坏，使用该当前区域来用于编程。

与本发明相符的特征和优点某种程度上提出于以下描述中，以及某种程度上从所述描述是显而易见的，或可由本发明的实践获悉。这样的特征和优点可由特别是所附请求项所指出的组件和组合而理解和得到。

可以理解的是，上述的概括说明和下面的详细描述仅为示例性和说明性的，并非意欲于限制本发明的范围。

并入本说明书且构成其部分的所附随图式伴随描述说明数个本发明的实施例，供为解释本发明的原则。

附图说明

图1描绘存储器中存储单元的示例性区块的阶层式结构。

图2标出针对存储器中所有WL区域而提供的示例性损坏宇线(WL)表。

图3绘示出根据一示例性实施例的一字线逻辑到实体地址映像表。

图4A及图4B是流程图，其示出根据用于找出并编程一良好WL区域的一示例性实施例的方法。

图5绘示出存储单元的一示例性区块。

图6绘示出根据一示例性实施例用于控制一存储器的编程的装置。

【符号说明】

100、500 区块

102 非易失性存储器

200 损坏的WL表

30O WLL2P表

400 流程图

600 装置

602 储存媒体

604 存储器控制器

具体实施方式