[发明专利]高压ESD器件版图结构以及包含该版图结构的芯片

权利要求书

1.一种高压ESD器件版图结构，其特征在于包括：

半导体衬底，其具有高压阱区；

器件栅氧区，其限定该半导体衬底的有源区；

漂移区，其形成在该器件有源区的外围；

杂质区，其形成在漂移区的下方，但小于有源区宽度；

源极区，漏极配置在杂质区中；

器件栅区，位于有源区的上方；

场板区，位于漂移区的上方；

其中，器件栅区及有源区宽度伸出杂质区。

2.根据权利要求1所述的高压ESD器件版图结构，其特征在于还包括器件栅氧区上的栅极区，栅极设置在漏极区和源极区之间，并且源极区和漏极区相对于栅极区对称。

3.根据权利要求1或2所述的高压ESD器件版图结构，其特征在于，器件栅氧区下方的栅极有源区伸出漏极区和源极区。

4.一种高压ESD器件制造方法，其特征在于包括：

进行阱注入工艺，利用根据权利要求1至3之一所述的高压ESD器件版图结构形成沟道区，并定义器件的有源区，形成MOS的体引出区、源区、漏区、沟道区、漂移区；

接下来进行环绕漏极、源极以及漂移区的杂质注入工艺，然后形成栅介质层，淀积和刻蚀栅材料，形成栅；

对对称高压NMOS进行源极、漏极的N型重搀杂，体区的体引出区进行P型重搀杂；对对称高压PMOS进行源极、漏极的P型重搀杂，体区的体引出区进行N型重搀杂；

完成后续的孔及金属连接工作。

5.一种包括根据权利要求1至3之一所述的高压ESD器件版图结构的芯片。