[发明专利]光电耦合器检测仪无效
申请号: | 201310354620.0 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103399242A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 黄勇 | 申请(专利权)人: | 黄勇 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233000 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 耦合器 检测 | ||
技术领域
本发明属于电子元件测试技术领域,涉及一种光电耦合器检测仪。
背景技术
光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电~光~电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内,彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端,受光器的引脚为输出端,常见的发光源为发光二极管,受光器为光敏三极管、光敏三极管其工作原理是:在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光,光的强度取决于激励电流的大小,此光照射到封装在一起的受光器上后,因光电效应而产生了光电流,由受光器输出端引出,这样就可以实现电~光~电的转换。
一般情况下,使用普通万用表只能简单测试光电耦合器的性能,要比较准确把握光电耦合器的性能,您需要将光电耦合器接入到实际电路中进行实测,一旦光电耦合器的性能有问题,将其焊上焊下更换起来十分麻烦。本发明所述的光电耦合器检测仪的电路全部使用普通电子元件制作而成,它能比较准确动态地测试光电耦合器的性能,它可以动态直观地观察光电耦合器的工作状态。
以下详细说明本发明所述的光电耦合器检测仪在实施过程中所涉及的有关技术内容。
发明内容
发明目的及有益效果:要比较准确把握光电耦合器的性能,您需要将光电耦合器接入到实际电路中进行实测,一旦光电耦合器的性能有问题,将其焊上焊下更换起来十分麻烦。本发明所述的光电耦合器检测仪的电路全部使用普通电子元件制作而成,它能比较准确动态地测试光电耦合器的性能,它可以动态直观地观察光电耦合器的工作状态。
电路工作原理:光电耦合器检测仪由时基电路IC1与电阻R1、电阻R2和电解电容C1组成无稳态多谐振荡电路。接通6V直流电源后,因电解电容C1上的电压很低,时基电路IC1输出端的第3脚为高电平。6V直流电源经电阻R1和电阻R2向电解电容C1充电,电解电容C1上的电压逐步上升,当电解电容C1上的电压上升到2/3直流电源电压时,时基电路IC1内部触发器翻转,时基电路IC1的第3脚输出低电平,同时时基电路IC1的内部放电管导通,电解电容C1上电压开始经电阻R2通过时基电路IC1的第7脚放电。当电解电容C1上的电压下降到1/3直流电源电压时,时基电路IC1内部触发器再次翻转,时基电路IC1的第3脚输出高电平,同时内部放电管截止,6V直流电源又经电阻R1和电阻R2向电解电容C1充电,如此周而复始形成振荡。
时基电路IC1输出端通过发光二极管LED2接光电耦合器G1和发光二极管LED1,发光二极管LED1和发光二极管LED2闪烁发光时,表明被测光电耦合器性能完好。如果通电后发光二极管LED1常亮或不亮,说明被测光电耦合器已经损坏。
技术方案:光电耦合器检测仪,它包括6V直流电源、无稳态多谐振荡电路、振荡信号输出和光电耦合器检测显示电路,其特征在于:
无稳态多谐振荡电路:它由时基电路IC1、电阻R1、电阻R2、电解电容C1组成,时基电路IC1选用的型号为NE555,时基电路IC1的第4脚和第8脚接电路正极VCC,时基电路IC1的第7脚接电阻R1的一端和电阻R2的一端,电阻R1的另一端接电路正极VCC,时基电路IC1的第2脚和第6脚接电解电容C1的正极和电阻R2的另一端,时基电路IC1的第1脚和电解电容C1的负极接电路地GND,时基电路IC1的第3脚接振荡信号输出电路和光电耦合器检测显示电路;
振荡信号输出和光电耦合器检测显示电路:它由光电耦合器G1、发光二极管LED1和电阻R3、发光二极管LED2组成,时基电路IC1的第3脚接发光二极管LED2的正极,发光二极管LED2的负极接光电耦合器G1的第1脚,光电耦合器G1的第2脚和第3脚接电路地GND,光电耦合器G1的第4脚通过电阻R3接发光二极管LED1的负极,发光二极管LED1的正极接电路正极VCC;
6V直流电源正极接电路正极VCC,6V直流电源负极与电路地GND相连。
附图说明
附图是本发明提供一个光电耦合器检测仪的实施例电路工作原理图;附图中的6V直流电源负极与电路地GND相连。
具体实施方式
按照附图所示的光电耦合器检测仪电路工作原理图和附图说明,并按照发明内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本发明,以下结合实施例对本发明的相关技术作进一步的描述。
元器件的选择及技术参数
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