[发明专利]双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法

权利要求书

1.一种双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在衬底硅片上依次沉积多晶硅薄膜、无定形碳薄膜、和含碳的氧化硅薄膜，然后涂布可成形硬膜第一光刻胶；

第二步骤：完成曝光和显影在第一光刻胶的膜中形成第一栅极线条结构；

第三步骤：在与显影步骤相同的同一显影机台内，在第一光刻胶上涂布含烷基氨的固化材料固化第一光刻胶中第一栅极线条结构，加热使固化材料与第一光刻胶表面反应形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，去除剩余的固化材料；

第四步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶；

第五步骤：完成曝光和显影在第二光刻胶膜中形成第一线端切割图形；

第六步骤：以第二光刻胶膜为掩模，刻蚀隔离膜和第一栅极线条，形成第二线端切割图形，随后去除第二光刻胶；

第七步骤：以剩余的隔离膜和第一栅极线条为掩模，继续依次刻蚀含碳的氧化硅薄膜、无定形碳薄膜、和多晶硅薄膜，并去除残余的含碳的氧化硅薄膜和无定形碳薄膜，最终在多晶硅薄膜层形成第二栅极线条结构。

2.根据权利要求1所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，所述的第一光刻胶选自含硅烷基的光刻胶、硅烷基氨的光刻胶和笼形硅氧烷的光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶和第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。

4.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶固化的固化材料为含烷基氨的水溶性高分子材料。

5.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶固化的固化材料为含烷基氨的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。

6.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的范围为30℃至200℃。

7.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的范围为50℃至170℃。

8.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，无定形碳薄膜的厚度为20纳米至300纳米。

9.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，无定形碳薄膜的厚度为50纳米至250纳米。

10.根据权利要求1或2所述的双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法，其特征在于，含碳的氧化硅薄膜的厚度为0纳米至40纳米，优选地为5纳米至30纳米。