[发明专利]成长低应力IGBT沟槽型栅极的方法

权利要求书

1.一种成长IGBT沟槽型栅极的方法，其特征在于，包括步骤：

1）在硅片的正面和背面上，分别沉积保护膜；

2）翻转硅片，使得硅片背面朝上，在硅片背面进行第一沟槽刻蚀；

3）在硅片背面沉积第一沟槽封口膜，使步骤2）刻蚀的第一沟槽被封口；

4）翻转硅片，使得硅片正面朝上，在硅片正面进行第二沟槽刻蚀；

5）在硅片正面沉积第二沟槽封口膜，使步骤4）刻蚀的第二沟槽被封口；

6）去除硅片背面的第一沟槽封口膜和保护膜，以及去除硅片正面的第二沟槽封口膜和保护膜；

7）在硅片的沟槽侧壁和底部以及硅片表面成长栅极氧化层，并在栅极氧化层表面沉积多晶硅，填充满沟槽，从而形成IGBT沟槽型栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，沉积的方法包括：通过热氧方式或化学气相沉积法进行沉积；保护膜的材质包括：热氧化膜和化学气相沉积膜；其中，热氧化膜包括：二氧化硅膜；化学气相沉积膜包括：常压化学气相沉积膜、亚常压化学气相沉积膜、等离子增强化学气相沉积膜；保护膜的厚度为1000埃～20000埃；

所述步骤2）中，第一沟槽是通过刻蚀硅片背面沉积的保护膜至硅片表面下一预定深度所形成的。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，化学气相沉积膜包括：二氧化硅膜和氮化硅膜；

保护膜的厚度为5000埃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，沉积的方法包括：化学气相沉积法；

第一沟槽封口膜的材质包括：化学气相沉膜，其中，化学气相沉积膜包括：二氧化硅膜和氮化硅膜；第一沟槽封口膜的厚度为5000埃～50000埃；

所述步骤4）中，第二沟槽是通过刻蚀硅片正面沉积的保护膜至硅片表面下一预定深度所形成的。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，沉积的方法为等离子增强常压化学气相沉积法；

第一沟槽封口膜的厚度为10000埃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，沉积的方法包括：化学气相沉积法；

第二沟槽封口膜的材质包括：化学气相沉积膜；其中，化学气相沉积膜包括：二氧化硅膜和氮化硅膜；

第二沟槽封口膜的厚度为5000埃～50000埃，且第二沟槽封口膜与第一沟槽封口膜的厚度相同。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，沉积的方法为等离子增强常压CVD沉积法；

第二沟槽封口膜的厚度为10000埃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6）中，去除的方法包括：通过湿法刻蚀或干法刻蚀进行去除；

其中，湿法刻蚀包括：双面湿法刻蚀和单面湿法刻蚀。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述湿法刻蚀为双面湿法刻蚀。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤7）中，成长栅极氧化层的方法包括：利用炉管成长栅极氧化层的方法；

栅极氧化层的厚度为500埃～5000埃；

沉积多晶硅的方法包括：低压化学气相沉积法；多晶硅的厚度为2000埃～20000埃。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述炉管包括：垂直式和水平式的炉管；

栅极氧化层的厚度为1000埃；

多晶硅的厚度为10000埃。