[发明专利]沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型的基底上形成第二导电类型的体区层和第一导电类型的源极层，并在所述源极层上形成图案化的阻挡层；

以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极以及图案化的第一氧化层；

以所述第一氧化层为掩膜，形成接触孔；

所述阻挡层为抗氧化阻挡层；

所述以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极以及图案化的第一氧化层的步骤具体包括：

以所述阻挡层为掩膜，形成沟槽栅极；

对所述沟槽栅极进行氧化处理，形成图案化的第一氧化层，所述第一氧化层的图案的宽度大于所述沟槽栅极的宽度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一氧化层的方法为热氧化法或快速退火氧化法。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述源极层上形成图案化的阻挡层的步骤具体包括：

在所述源极层上依次形成第二氧化层、氮化硅层和第三氧化层；

在所述第三氧化层上旋涂光刻胶；

对光刻胶进行曝光，显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶不保留区域，其中，光刻胶不保留区域对应于沟槽栅极所在的区域；

刻蚀光刻胶不保留区域下方的第三氧化层、氮化硅层和第二氧化层，形成图案化的阻挡层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二氧化层和第三氧化层为二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，采用缓冲蚀刻液刻蚀所述第二氧化层和第三氧化层；采用磷酸刻蚀所述氮化硅层。

6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二氧化层和第三氧化层的方法为热氧化法、化学气相沉积法或物理气相沉积法。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成沟槽栅极的步骤具体包括：

以所述阻挡层为掩膜，刻蚀所述源极层和体区层形成沟槽，并在所述沟槽的内壁形成绝缘层；

在所述阻挡层上形成多晶硅层，且所述多晶硅层填充满所述沟槽内；

以所述阻挡层为掩膜，对所述多晶硅层进行反刻蚀去除所述阻挡层上的多晶硅，形成沟槽栅极。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅；

形成所述绝缘层的方法为热氧化法、化学气相沉积法或物理气相沉积法。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成所述接触孔的步骤具体为：

去除所述阻挡层；

以所述第一氧化层为掩膜，刻蚀所述源极层和部分体区层形成接触孔。

10.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述第一氧化层上形成图案化的金属层的步骤，且所述金属层填充满所述接触孔内。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一氧化层上形成图案化的金属层的步骤具体包括：

以所述第一氧化层为掩膜，在所述接触孔内填充满钨金属，形成图案化的钨金属层；

在所述钨金属层上形成铝金属层；

对所述铝金属层进行光刻和刻蚀工艺，形成与所述沟槽栅极电连接的第一图案和与所述源极层电连接的第二图案。

12.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一导电类型的基底包括第一导电类型的衬底和第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底上方。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述沟槽栅极延伸至所述外延层。

14.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：

通过所述接触孔向所述体区层内注入第二导电类型的离子。

15.根据权利要求1-9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述基底为N型硅半导体基底，所述体区层为P型体区层，所述源极层为N型硅半导体源极层。