[发明专利]一种ECC纠错能力的调节方法及调节装置

说明书

技术领域

本发明涉及闪存存储技术领域，特别是涉及一种ECC纠错能力的调节方法及调节装置。

背景技术

由于Flash（闪存）的材料和工艺原因，在Flash的读写使用和存放过程中很容易产生坏块，所以使用错误检查和纠正（ECC，Error Correcting Code）来保证数据完整性。即在Flash的每一个页面上用额外的存储空间来保存ECC数据，当写入数据时，计算出固定长度数据的ECC数据，并更新；当数据读取时，也会读取ECC代码，来检验读取的数据是否正确，如读取数据不正确时，通过ECC代码来校正数据。

由于在不同的Flash中，存储容量是一定的，而ECC纠错需要的纠错码是占用空间的，所以给出的存储空间直接决定了ECC码的纠错能力和码长。不同工艺下的Flash所需要的ECC纠错能力是不同的，工艺决定了出错的概率，从而决定了所需的纠错能力。由于不同的纠错能力所需要的空间不同，所以Flash的存储空间必须能够满足纠错所需空间的需要，才能正常使用Flash。如果针对每种工艺需求都单独设计处理，成本将非常高，因此当需要支持多种工艺需求时，就需要ECC的纠错能力和码长可调。

发明内容

本发明提供一种ECC纠错能力的调节方法及调节装置，以解决对每种工艺的Flash单独处理造成的效率低、成本高的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种ECC纠错能力的调节方法，包括：

根据目前所有Flash中的最大存储空间确定ECC的最大纠错能力和最长码长；

根据所述ECC的最大纠错能力和最长码长配置所需的最大个数的计算单元；

根据当前Flash的存储空间配置当前Flash所需的ECC的当前纠错能力和当前码长；

根据所述当前纠错能力分别计算编码所需的计算单元个数和译码所需的计算单元个数；

在当前Flash进行编程操作时，在最大个数的计算单元中调用与所述编码所需的计算单元个数一致的计算单元对Flash中的数据进行编码计算；

在当前Flash进行读取操作时，在最大个数的计算单元中调用与所述译码所需的计算单元个数一致的计算单元对Flash中的数据进行译码计算。

可选地，所述根据所述当前纠错能力计算编码所需的计算单元个数，包括：

调用所述当前纠错能力的ECC编码计算编码对应的计算单元个数。

可选地，所述根据所述当前纠错能力计算译码所需的计算单元个数，包括：

调用所述当前纠错能力的ECC译码计算译码对应的计算单元个数。

可选地，所述当前纠错能力小于所述最大纠错能力；

所述当前码长小于所述最长码长。

可选地，还包括：

根据译码结果判断读取的数据是否有错；当读取的数据有错时，根据所述当前码长和译码计算中确定的读取的数据的错误个数对Flash存储数据进行对应的纠错处理；当读取的数据没错时，退出译码。

本发明还公开了一种ECC纠错能力的调节装置，其特征在于，包括：

确定模块，用于根据目前所有Flash中的最大存储空间确定ECC的最大纠错能力和最长码长；

计算单元配置模块，用于根据所述ECC的最大纠错能力和最长码长配置所需的最大个数的计算单元；

纠错能力配置模块，用于根据当前Flash的存储空间配置当前Flash所需的ECC的当前纠错能力；

码长配置模块，用于根据当前Flash的存储空间配置当前Flash所需的ECC的当前码长；

计算模块，用于根据所述当前纠错能力分别计算编码所需的计算单元个数和译码所需的计算单元个数；

编码模块，用于在当前Flash进行编程操作时，在最大个数的计算单元中调用与所述编码所需的计算单元个数一致的计算单元对Flash中的数据进行编码计算；

译码模块，用于在当前Flash进行读取操作时，在最大个数的计算单元中调用与所述译码所需的计算单元个数一致的计算单元对Flash中的数据进行译码计算。

可选地，所述计算模块包括：

编码计算子模块，用于调用所述当前纠错能力的ECC编码计算编码对应的计算单元个数。

可选地，所述计算模块包括：

译码计算子模块，用于调用所述当前纠错能力的ECC译码计算译码对应的计算单元个数。

可选地，所述当前纠错能力小于所述最大纠错能力；

所述当前码长小于所述最长码长。