[发明专利]三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法有效
申请号: | 201310352429.2 | 申请日: | 2013-08-14 |
公开(公告)号: | CN104372409B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 许桂生;刘锦峰;杨丹凤;刘莹;陈夏夏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B29/30;C30B29/32;C30B11/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 三元 系弛豫基铁电 压电 及其 生长 方法 | ||
1.一种三元系弛豫基铁电压电单晶,其特征在于,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的化学组成为x A(B11/2B21/2)X3—y A(B31/3B22/3)X3—(1-x-y)ABX3,0﹤x﹤1,0﹤y﹤1,且x+y﹤1,其中,
A为Pb2+、或者Pb2+与选自Ba2+、Ca2+、Sr2+的A位掺杂元素的组合,A位掺杂元素的掺杂量为0~5.0mol%;
B1为In3+、或者In3+与选自Yb3+、Cr3+、Fe3+、Sc3+、Ho3+的B1位掺杂元素的组合,B1位掺杂元素掺杂量为0~10mol%;
B2为Nb5+、或者Nb5+与选自Ta5+、Sb5+的B2位掺杂元素的组合,B2位掺杂元素掺杂量为0~5mol%;
B3为Mg2+、或者Mg2+与选自Cu2+、Cd2+、Ni2+的B3位掺杂元素的组合,B3位掺杂元素掺杂量为0~10mol%;
B为Ti4+、或者Ti4+与选自Zr4+、Sn4+、Mn4+的B位掺杂元素的组合,B位掺杂元素掺杂量为0~5mol%;
X为O2-、或者O2-与选自F-、Cl-、Br-、I-的X位掺杂元素的组合,X位掺杂元素掺杂量为0~5mol%。
2.根据权利要求1所述的三元系弛豫基铁电压电单晶,其特征在于,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的化学组成为x Pb(In1/2Nb1/2)O3—y Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—(1-x-y)PbTiO3。
3.根据权利要求1或2所述的三元系弛豫基铁电压电单晶,其特征在于,0.1≤x≤0.4,0.2≤y≤0.6。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的三元系弛豫基铁电压电单晶,其特征在于,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的直径为1~6英寸,长度为2~15英寸。
5.根据权利要求4所述的三元系弛豫基铁电压电单晶,其特征在于,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的直径为2~4英寸,长度为4~8英寸。
6.一种权利要求1~5中任一项所述的三元系弛豫基铁电压电单晶的生长方法,其特征在于,采用区熔-下降法生长所述三元系弛豫基铁电压电单晶,其中结晶炉温分为三段,包括中部高温区、上部低温区和下部低温区,中部高温区的温度范围为1280~1420℃,中部高温区的下部界面的温度梯度为20~80℃/cm,中部高温区的上部界面的温度梯度为10~50℃/cm,坩埚下降速率为0.1~1.2mm/小时。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,坩埚下降速率为0.3~0.8mm/小时。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述中部高温区的宽度为用于生长所述 三元系弛豫基铁电压电单晶的晶锭的长度的20~50%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310352429.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种球体直径的快速测量装置
- 下一篇:一种新型压力机顶杆高度测量器