[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，该方法包括：

提供基板，所述基板中包括抗反射层；

在所述基板中形成至少一个感光器件；

在所述基板的第一表面上形成金属互连结构；

在所述金属互连结构上将第三基板接合到所述基板；以及

去除所述基板的除了所述抗反射层之外的一部分，

所述抗反射层包括热氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其中提供所述基板包括在第一基板上形成蚀刻停止层、在硅基基板上形成所述抗反射层、以及将所述第一基板和所述硅基基板接合在一起而所述蚀刻停止层和所述抗反射层位于其间。

3.如权利要求2所述的方法，其中在硅基基板上形成所述抗反射层包括通过热氧化所述硅基基板的表面来形成所述热氧化层以及在所述热氧化层上形成氧化层，所述氧化层不同于所述热氧化层。

4.如权利要求3所述的方法，还包括在形成所述热氧化层之后通过采用氢气和/或惰性气体离子的离子注入而在所述硅基基板中形成微腔层。

5.如权利要求3所述的方法，还包括在将所述第一基板和所述硅基基板接合在一起之后，利用所述微腔层去除所述硅基基板的一部分。

6.如权利要求2所述的方法，其中提供所述基板还包括在将所述第一基板和所述硅基基板接合在一起之后，利用蚀刻或化学机械抛光工艺去除所述硅基基板的一部分以减薄所述硅基基板。

7.一种图像传感器，包括：

硅基基板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相反；

在所述硅基基板中的至少一个感光器件；

在所述硅基基板的第一表面上的金属互连结构；

在所述金属互连结构上的第三基板；

滤色器结构和微透镜结构，顺序形成在所述硅基基板的所述第二表面上；以及

抗反射层，位于所述硅基基板的所述第二表面与所述滤色器结构之间，

其中所述抗反射层包括热氧化层。

8.如权利要求7所述的图像传感器，还包括在所述微透镜结构上的保护层。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其中所述保护层是氧化硅层。

10.如权利要求9所述的图像传感器，其中所述保护层共形地形成在所述微透镜结构上。

11.一种图像传感器，包括：

硅基基板，具有第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二表面相反；

在所述硅基基板中的至少一个感光器件；

在所述硅基基板的第一表面上的金属互连结构；

在所述金属互连结构上的第三基板；

在所述硅基基板的第二表面上的热氧化层；

在所述热氧化层上的氧化层；

滤色器结构和微透镜结构，顺序形成在所述氧化层上；以及

保护层，共形地形成在所述微透镜结构上。

12.如权利要求11所述的图像传感器，其中所述氧化层是氧化铪层。

13.如权利要求12所述的图像传感器，其中所述氧化层的折射率高于所述热氧化层的折射率且低于所述硅基基板的折射率。

14.如权利要求13所述的图像传感器，还包括在所述硅基基板中的接触所述抗反射层的浅注入层。

15.如权利要求14所述的图像传感器，其中所述浅注入层包括p型杂质。

16.如权利要求15所述的图像传感器，其中所述p型杂质包括硼。

17.如权利要求14所述的图像传感器，其中所述第三基板利用直接接合而在所述金属互连结构上接合到所述硅基基板。

18.一种图像传感器，包括：

硅基基板，其中包括至少一个感光器件；

热氧化层，通过所述硅基基板的第二表面的热氧化而形成在所述硅基基板上；

在所述热氧化层上的氧化铪层；

滤色器结构和微透镜结构，顺序形成在所述氧化铪层上；以及

氧化硅层，共形地形成在所述微透镜结构上。