[发明专利]用于LED应用的红光荧光体

权利要求书

1.一种背光装置，包括：

半导体光源，所述半导体光源包括至少一个具有在440nm至480nm之间的峰值发射波长的蓝色LED芯片；以及

辐射性连接至所述半导体光源以接收峰值发射波长在440nm至480nm之间的蓝色光的荧光体材料，所述荧光体材料包括通过转换所述蓝色光以用于发射具有在610nm至650nm之间的峰值发射波长的红色光的、用Mn⁴⁺激活的红光复合氟化物荧光体和通过转换所述蓝色光以用于发射具有在535nm至547nm的范围内的峰值发射波长且具有45nm至55nm的范围内的半最大值全宽度的绿色光的绿光荧光体；其中，所述用Mn4+激活的红光复合氟化物荧光体包括A₂[MF₆]:Mn⁴⁺，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄以及它们的组合；而其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr以及它们的组合。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述用Mn4+激活的红光复合氟化物荧光体包括K₂SiF₆:Mn⁴⁺。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述半导体光源包括另外的发射峰值波长范围为从370nm至500nm的辐射的半导体发光二极管(LED)芯片。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述半导体光源包括由化学式In_iGa_jAl_kN表示的化合物，其中，0≤i，0≤j，0≤k，且i+j+k＝1。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述绿光荧光体仅用Eu²⁺激活。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括包围所述半导体光源和所述荧光体材料的密封剂。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述荧光体材料被分散在所述密封剂中。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述绿光荧光体是用Eu²⁺激活的硫化镓酸锶。

9.根据权利要求1所述的装置，具有大于5000K的CCT和大于280Im/W_opt的LER。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述LER大于330lm/W_opt。

11.根据权利要求1所述的装置，在1931CIE色度图上具有比NTSC大70％的色域。

12.一种荧光体混合体，包括至少一种用Mn⁴⁺激活的复合氟化物荧光体，所述复合氟化物荧光体具有式A₂[MF₆]:Mn⁴⁺，其中，A选自Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄以及它们的组合；而其中M选自Ge、Si、Sn、Ti、Zr以及它们的组合，所述复合氟化物荧光体具有在610至650nm之间的峰值发射波长；和至少一种其他荧光体，所述其他荧光体包括具有在535nm至547nm的范围内的峰值发射波长且具有45nm至55nm的范围内的半最大值全宽度的绿光荧光体；所述荧光体混合体辐射性连接至蓝光半导体发光二极管；与所述发光二极管组合的所述荧光体混合体具有大于5000K的CCT和大于280Im/W_opt的LER的发射。