[发明专利]一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片无效
| 申请号： | 201310351395.5 | 申请日： | 2013-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN103441200A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;张向飞;钱仁海;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 谢观素 |
| 地址： | 223000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 设置 低温 ugan 发光二极管 外延 | ||
【权利要求书】：
1.一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN层（4）、MQW发光层（5）以及pGaN层（6），其特征在于：所述uGaN层（3）包括成核层（31）、三维生长层（32）、二维生长层A（33）、低温uGaN层（34）、二维生长层B（35）。
2.根据权利要求1所述的一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，其特征在于：所述低温uGaN层（34）的厚度为200nm。
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