[发明专利]一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法

权利要求书

1.一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）按照坩埚容积大小进行钇铝石榴石YAG备料，计算出YAG重量；然后根据化学式Nd_3xY_3-3xAl₅O₁₂计算出掺杂Nd的添加重量，由于Nd₂O₃粉末容易散落，因此将Nd₂O₃粉末放在铱金坩埚内惰性气体保护，熔化提拉成多晶体，切割成条状作为添加料备用；

2)在单晶炉对应热偶的外部一侧加装线轮，在单晶炉炉膛上方加装滑轮，滑轮水平方向距离提拉杆3-5mm，线轮上绕有白金丝，白金丝前端穿过滑轮并吊有陶瓷重锤，陶瓷重锤下端用铱金丝固定住添加料，装添加料时要保温；

3）做好界面生长晶体温场，往晶体炉的坩埚内投放YAG原料，做好上保温，调试好添加料的位置以使其随后能顺利加入干锅内，各项检察无误，关闭炉门，完成装炉；

4）抽真空，然后充入高纯氩气进行保护；

5）下籽晶，等径提拉生长，YAG晶体生长等径长度完成，停止提拉；

6）升温，预热添加料，当条状多晶体有回熔状态时，通过控制线轮缓慢向下放入添加料；

7）坩埚内液面回升，以与之前提拉相同速度提拉晶体，晶体不能离开液面，晶体周围发暗，要继续升温，控制好温度和投料速度比，保证晶体质量；

8）投料结束，恒温1-2小时，调整好生长温度，继续生长，直至缓慢降温完成晶体生长。

2.如权利要求1所述的一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法，其特征在于，所述步骤7）中投料时间为2小时，每小时升温150℃。

3.如权利要求1或2所述的一种掺钕的钇铝石榴石与纯钇铝石榴石晶体键合生长方法，其特征在于，所述滑轮为直径1-2mm的不锈钢滑轮。