[发明专利]一种深沟槽刻蚀设备及其方法有效
| 申请号： | 201310348149.4 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347391B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 徐震宇;章安娜;许凌燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 刻蚀 设备 及其 方法 | ||
1.一种深沟槽刻蚀的方法，其包括：
步骤一：提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口；
步骤二：在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；
步骤三：对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；
步骤四：将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；
步骤五：对晶圆进行深槽刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述遮挡盘为静电夹盘刻蚀设备腔体中自带的环形结构。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述遮挡盘为额外独立设置的环形结构。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：调换所述步骤二与步骤三的顺序,先对抗等离子体贴纸预先裁剪之后,再将裁剪后的抗等离子体贴纸贴在遮挡盘上。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述抗等离子体贴纸突出遮挡盘中心圆形开口部分的宽度为3毫米。
6.一种深沟槽刻蚀设备，其包括：放置晶圆的静电夹盘、遮挡等离子体的遮挡盘，其中遮挡盘的中心形成圆形开口，在遮挡盘的圆形开口粘贴有抗等离子体贴纸，其中贴纸的中心形成与遮挡盘的圆形开口同心但直径比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，刻蚀时该遮挡盘置于晶圆上方并不与所述晶圆接触，使晶圆表面自遮挡盘中心开口露出，遮挡晶圆周围的其他区域不被等离子体刻蚀。
7.如权利要求6所述的深沟槽刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡盘为静电夹盘刻蚀设备腔体中自带的环形结构。
8.如权利要求6所述的深沟槽刻蚀设备，其特征在于：所述遮挡盘为额外独立设置的环形结构。
9.如权利要求6所述的深沟槽刻蚀设备，其特征在于：所述抗等离子体贴纸突出遮挡盘中心圆形开口部分的宽度为3毫米。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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