[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
申请号: | 201310346957.7 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104021815B | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 细野浩司;常盘直哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/06 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 周春燕,陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
1.一种非易失性半导体存储装置,其特征在于,具备:
存储单元阵列,其具有包含与字线连接的多个存储单元的多个存储串,上述多个存储串分为多个子块,能够按每子块擦除数据;以及
控制部,其在写入校验工作中,在对非选择的子块写入了的情况下,对上述非选择的子块内的字线施加第1读出通过电压,在对非选择的子块未写入的情况下,对上述非选择的子块内的字线施加比第1读出通过电压低的第2读出通过电压。
2.权利要求1所述的非易失性半导体存储装置,其特征在于,
上述存储串包含m条字线,上述多个子块分别还具有存储表示上述子块是否被写入了的标志数据的标志单元,其中m是自然数。
3.权利要求2所述的非易失性半导体存储装置,其特征在于,
上述控制部在写入校验时,判别非选择的子块的标志单元中存储的标志数据,在非选择的子块为擦除状态的情况下,在选择字线为WLn的情况下,对字线WLn+1供给上述第1读出通过电压,对字线WLn+2~WLm供给上述第2读出通过电压,其中n是自然数且n<m。
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