[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201310346631.4 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347405B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王根毅;王德俊;日格尔格;吴宗宪 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅,吴锦伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 双极晶体管 制造 方法 | ||
1.一种绝缘栅双极晶体管的制造方法，其特征在于，其包括：
提供具有第一主面和第二主面的N-型半导体衬底，N型为第一导电类型；
在所述半导体衬底的第一主面侧形成Pbody层，所述Pbody层为基极层，P型为第二导电类型；
在形成有Pbody层的半导体衬底的第一主面上淀积硬掩膜；
在所述硬掩膜上有选择的刻蚀出沟槽的腐蚀窗口；
通过该腐蚀窗口进行沟槽腐蚀，以形成从所述Pbody层的第一主面贯穿所述Pbody层至半导体衬底的多个沟槽；
在沟槽的槽内表面上形成牺牲氧化层；
通过所述沟槽向位于所述基极层下方的半导体衬底注入第一导电类型杂质以在所述沟槽的底部外侧形成第一导电类型注入区，其中通过所述牺牲氧化层向所述沟槽的底部注入第一导电类型杂质；
进行高温推阱使得相邻的两个沟槽的底部外侧形成的注入区杂质扩散并相融合以在所述基极层下方形成第一导电类型扩散层，其中所述扩散层的第一导电类型杂质的浓度较所述半导体衬底的第一导电类型杂质的浓度高，第一导电类型扩散层为N+型扩散层，
在形成有N+型扩散层的晶圆的正面继续形成所述绝缘栅双极晶体管的剩余正面结构；
在所述半导体衬底的第二主面侧形成第二导电类型的半导体层，然后在所述半导体衬底的第二主面上形成于与所述第二导电类型的半导体层电接触的第二主电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，通过控制所述高温推阱的时间以保证所述基极层和扩散层不重叠。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在形成有N+型扩散层的晶圆的正面继续形成所述绝缘栅双极晶体管的剩余正面结构包括：
去除所述硬掩膜和牺牲氧化层；
在所述沟槽的内部上形成栅极氧化层；
在所述沟槽内形成多晶硅栅极；
选择性地自所述Pbody层的第一主面向所述Pbody层内形成位于所述沟槽外侧的N+有源区；
在所述半导体衬底的第一主面上形成覆盖所述沟槽和部分覆盖所述N+有源区的层间绝缘膜；
在所述半导体衬底的第一主面上形成覆盖所述层间绝缘膜的发射极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
