[发明专利]一种硅片合金的制作工艺无效
| 申请号： | 201310345642.0 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103441084A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吴亚红;陆国华;钟盛鸣 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合金 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在二极管焊接炉中进行合金制得，其特征在于：所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。
2.根据权利要求1所述的硅片合金的制作工艺，其特征在于；所述氮气在隧道炉中的分布量如下：在炉口的分布量为2700-2900 m3/h，在炉中下段的分布量为：4000±100 m3/h，在炉中南3800±100 m3/h，炉中北4000±100 m3/h，炉尾2500±100 m3/h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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