[发明专利]MEMS圆片级真空封装方法及结构

权利要求书

1.一种MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，包括以下步骤:

制作芯片圆片，其中，所述芯片圆片包括：基底、形成位于所述基底之上的MEMS、形成所述基底之上并位于所述MEMS外围的第一焊料环、形成在所述第一焊料环之外的电极，其中所述MEMS和所述电极通过位于所述基底表面的连接层相连；

制作盖板圆片，其中，所述盖板圆片的正面包括：与所述MEMS尺寸位置相对应的凹腔、与所述第一焊料环尺寸位置对应的第二焊料环，所述盖板圆片的背面包括：第一划片标记和第二划片标记，所述第一划片标记与最终制备器件的边缘对应，所述第二划片标记位于所述最终制备相邻MEMS器件的之间位置；

将所述芯片圆片与所述盖板圆片对准并键合，其中，所述第一焊料环与所述第二焊料环对准，所述MEMS与所述凹腔对准；以及

沿着所述第一划片标记划断所述盖板圆片，沿着所述第二划片标记划断所述盖板圆片和芯片圆片。

2.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述制作芯片圆片包括：

提供所述基底；

在所述预连接所述MEMS与电极的位置形成连接层，所述连接层位于所述基底表面；

在所述基底之上形成所述MEMS和电极；以及

在所述基底之上、所述MEMS与所述电极之间形成环绕所述MEMS的所述第一焊料环。

3.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述制作盖板圆片包括：

提供所述盖板圆片；

在所述盖板圆片的正面形成凹腔；

在所述盖板圆片的正面、所述凹腔的周围形成第二焊料环；以及

在所述盖板背面形成第一划片标记和第二划片标记。

4.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述制作盖板圆片还包括：

在所述凹腔底部形成吸气剂。

5.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，通过化学各向异性刻蚀、物理刻蚀、物理化学交互刻蚀或光刻刻蚀的工艺形成所述凹腔。

6.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述键合为黏合剂表面键合、阳极键合、硅熔融键合或共晶键合。

7.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述第一焊料环的材料为玻璃浆料、Al、Si、Ge、Sn、Cu、Au、Ti/Au双层膜或Cr/Au双层膜。

8.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述第二焊料环的材料为玻璃浆料、Ge、Al、Sn、Si、Cu、Au、Ti/Au双层膜或Cr/Au双层膜。

9.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述盖板圆片的材料为锗、硅、硒化锌、硫化锌、玻璃或陶瓷。

10.如权利要求1所述的MEMS圆片级真空封装方法，其特征在于，所述吸气剂为非蒸散型吸气剂，材料为Zr合金、Zr-Al合金、Ti-Mo合金、Ti-Zr-V合金、Zr-V-Fe合金或纳米吸气剂。

11.一种MEMS圆片级真空封装结构，其特征在于，通过权利要求1-10中任一项所述的方法制得。