[发明专利]获取正电子发射断层扫描系统响应模型与图像重建的方法

权利要求书

1.一种获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，包括：

获取γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息；

根据所述深度效应响应信息符合生成背对背的γ光子入射晶体条对时决定的响应线的深度效应响应模型；以及，

根据所述深度效应响应模型生成系统响应模型。

2.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述获取γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息的方法包括：

通过软件模拟γ光子以不同角度入射到晶体条阵列时，在相应的一个或多个晶体条上的响应情况，从而获得所述相应的一个或多个晶体条的γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息。

3.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述获取γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息的方法包括：

采用实验方法测量γ光子以不同角度入射到晶体条阵列时，在相应的一个或多个晶体条上的响应情况，从而获得所述相应的一个或多个晶体条的γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息。

4.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述获取γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息的方法包括：

用γ光子在晶体条中的衰减系数解析计算γ光子以不同角度入射到晶体条阵列时，在相应的一个或多个晶体条上的响应情况，从而获得所述相应的一个或多个晶体条的γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息。

5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述γ光子入射到晶体条阵列的深度效应响应信息包括：晶体条编号，深度效应比例以及入射角度。

6.根据权利要求5所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述深度效应比例为以一入射角度入射到一晶体条上的γ光子数目与以该入射角度入射的所有γ光子数目的比值，或者为所述以一入射角度入射到一晶体条上的γ光子数目。

7.根据权利要求5所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述入射角度的确定方法包括：取入射线与入射点以右或以左的晶体条边缘的夹角，或者取入射线与入射平面中晶体条平面的法线的夹角。

8.根据权利要求5所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述根据所述深度效应响应信息符合生成背对背的γ光子入射晶体条对时决定的响应线的深度效应响应模型的方法包括：

对有响应的晶体条进行两两组合形成响应晶体条对决定的响应线；以及，

将所述晶体条对中各自的所述深度效应响应信息中的深度效应比例进行相乘，以获得所述深度效应响应模型。

9.根据权利要求5所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述根据所述深度效应响应信息符合生成背对背的γ光子入射晶体条对时决定的响应线的深度效应响应模型的方法包括：

对有响应的晶体条进行两两组合形成响应晶体条对决定的响应线；

将所述晶体条对中各自的所述深度效应响应信息中的深度效应比例进行相乘；以及，

根据不同像素点的位置信息对所述乘积进一步进行加权处理，其中，可以利用入射晶体条对像素点张开的立体角大小来确定其权值，以获得所述深度效应响应模型。

10.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述晶体条对的深度效应响应模型的数据组织形式包括：列表模式（List mode）形式和正弦图（Sinogram）形式。

11.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，在所述根据所述深度效应响应模型生成系统响应模型之前，还包括根据所述正电子发射断层扫描的探测器的几何形状获取其对称性信息，并且所述根据所述深度效应响应模型生成系统响应模型还可以进一步为根据获取的所述对称性信息与所述深度效应响应模型生成系统响应模型。

12.根据权利要求1所述的获取正电子发射断层扫描的系统响应模型的方法，其中，所述根据所述深度效应响应模型生成系统响应模型的方法包括：计算所有响应线上的像素点的系统响应信息，从而生成所述系统响应模型。